طول عمرنوسانها و مسیر آزاد میانگین فونونهای گرافن با استفاده از دینامیک مولکولی و چگالی انرژی طیفی
در این تحقیق شبیهسازی دینامیک مولکولی با تجزیه و تحلیل طیفی فونون با هدف درک رسانش گرمایی در گرافن انجام شد. برای محاسبه طول عمر و مسیر آزاد میانگین فونونهای هر مد از سرعت اتمهای بهدست آمده از شبیهسازی دینامیک مولکولی، تجزیه و تحلیل چگالی انرژی طیفی استفاده گردید. محاسبات انجام شده نشان میدهد...
Main Authors: | مرتضی مفاخری, امیر عباس صبوری دودران |
---|---|
Format: | Article |
Language: | fas |
Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2022-11-01
|
Series: | پژوهش سیستمهای بسذرهای |
Subjects: | |
Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17909_6689fd5e44a58453a2e52e9dad52de7d.pdf |
Similar Items
-
بررسی مُدهای فونونهای اپتیکیدر یک نانوساختارِ نیمهرسانا
by: عباس شاهبندی قوچانی
Published: (2014-06-01) -
بررسی خواص گرمایی گرافن چند بلوری
by: قاسم انصاری پور, et al.
Published: (2015-09-01) -
ساخت و مشخصهیابی نانوکامپوزیت اکسید گرافن کاهش یافته-اکسید روی و بررسی قابلیت آن برای کاربردهای پزشکی
by: مرضیه حضرتی سعدآبادی, et al.
Published: (2017-05-01) -
بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی
by: سارینا یوسف بیگی, et al.
Published: (2021-12-01) -
بررسی خواص الکتریکی ذرات گرافن
by: رضا ثابت داریانی, et al.
Published: (2015-09-01)