دراسة البنية الإلكترونية للبلورات Cd1-xFexTe بوساطة مطيافية الإصدار الضوئي
تم استخدام مطيافية الإصدار الضوئي بالأشعة فوق البنفسجية عند طاقة hv= 21.22 eV لاختبار البنية الإلكترونية لبلورات Cd1-xFexTe (x=0; 0.04) نصف الناقلة شبه المغناطيسية. أظهرت أطياف الاختبار منحنيات توزيع الطاقة (EDC) للإلكترونات الصادرة من عصابة التكافؤ والإلكترونات الأقرب إلى المستويات اللبية لعصابة ا...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Arabic |
| Published: |
Tishreen University
2018-12-01
|
| Series: | مجلة جامعة تشرين للبحوث والدراسات العلمية، سلسلة العلوم الأساسية |
| Online Access: | http://journal.tishreen.edu.sy/index.php/bassnc/article/view/5221 |
| _version_ | 1797418115675455488 |
|---|---|
| author | ابتسام نعمان |
| author_facet | ابتسام نعمان |
| author_sort | ابتسام نعمان |
| collection | DOAJ |
| description |
تم استخدام مطيافية الإصدار الضوئي بالأشعة فوق البنفسجية عند طاقة hv= 21.22 eV لاختبار البنية الإلكترونية لبلورات Cd1-xFexTe (x=0; 0.04) نصف الناقلة شبه المغناطيسية. أظهرت أطياف الاختبار منحنيات توزيع الطاقة (EDC) للإلكترونات الصادرة من عصابة التكافؤ والإلكترونات الأقرب إلى المستويات اللبية لعصابة التكافؤ Cd4d. تفاعل إلكترونات Fe3d مع إلكترونات التكافؤ أدى إلى ظهور كثافة سويات إضافية في منطقة حرف عصابة التكافؤ في البلورات Cd1-xFexTe عند قمة 0.2eV تحت حرف عصابة التكافؤ. يبين الفرق بين منحنيات توزيع الطاقة (EDC) في عصابة التكافؤ بين البلورتين CdTe و Cd0.96Fe0.04Te ذروتين لمساهمة الإلكترونات Fe3d6 في عصابة التكافؤ.
Ultraviolet Photoemission Spectroscopy (UPS) (hv = 21.22 eV) was used to investigate the electronic structure of Cd1-xFexTe (x=0 and 0.04) semimagnetic semiconductor crystals. UPS spectra showed the energy distribution curves (EDC) of the electrons photo emitted from the valence band and the nearest to the valence band core levels electrons Cd4d of Cd1-xFexTe crystals. Interaction of valence electrons Fe 3d leads to the appearance of additional density of states in the region of the valence band edge of Cd1-xFexTe crystals. Maximum density was obtained at 0.2eV below the valence band edge. The difference of the valence band EDCs obtained for CdTe and Cd0.96Fe0.04Te presents two peaks of contribution of Fe 3d6 electrons to the valence band.
|
| first_indexed | 2024-03-09T06:28:52Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-6c039482642f46578d7202f0f7cd66c7 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 2079-3057 2663-4252 |
| language | Arabic |
| last_indexed | 2024-03-09T06:28:52Z |
| publishDate | 2018-12-01 |
| publisher | Tishreen University |
| record_format | Article |
| series | مجلة جامعة تشرين للبحوث والدراسات العلمية، سلسلة العلوم الأساسية |
| spelling | doaj.art-6c039482642f46578d7202f0f7cd66c72023-12-03T11:13:38ZaraTishreen Universityمجلة جامعة تشرين للبحوث والدراسات العلمية، سلسلة العلوم الأساسية2079-30572663-42522018-12-01332دراسة البنية الإلكترونية للبلورات Cd1-xFexTe بوساطة مطيافية الإصدار الضوئيابتسام نعمان تم استخدام مطيافية الإصدار الضوئي بالأشعة فوق البنفسجية عند طاقة hv= 21.22 eV لاختبار البنية الإلكترونية لبلورات Cd1-xFexTe (x=0; 0.04) نصف الناقلة شبه المغناطيسية. أظهرت أطياف الاختبار منحنيات توزيع الطاقة (EDC) للإلكترونات الصادرة من عصابة التكافؤ والإلكترونات الأقرب إلى المستويات اللبية لعصابة التكافؤ Cd4d. تفاعل إلكترونات Fe3d مع إلكترونات التكافؤ أدى إلى ظهور كثافة سويات إضافية في منطقة حرف عصابة التكافؤ في البلورات Cd1-xFexTe عند قمة 0.2eV تحت حرف عصابة التكافؤ. يبين الفرق بين منحنيات توزيع الطاقة (EDC) في عصابة التكافؤ بين البلورتين CdTe و Cd0.96Fe0.04Te ذروتين لمساهمة الإلكترونات Fe3d6 في عصابة التكافؤ. Ultraviolet Photoemission Spectroscopy (UPS) (hv = 21.22 eV) was used to investigate the electronic structure of Cd1-xFexTe (x=0 and 0.04) semimagnetic semiconductor crystals. UPS spectra showed the energy distribution curves (EDC) of the electrons photo emitted from the valence band and the nearest to the valence band core levels electrons Cd4d of Cd1-xFexTe crystals. Interaction of valence electrons Fe 3d leads to the appearance of additional density of states in the region of the valence band edge of Cd1-xFexTe crystals. Maximum density was obtained at 0.2eV below the valence band edge. The difference of the valence band EDCs obtained for CdTe and Cd0.96Fe0.04Te presents two peaks of contribution of Fe 3d6 electrons to the valence band. http://journal.tishreen.edu.sy/index.php/bassnc/article/view/5221 |
| spellingShingle | ابتسام نعمان دراسة البنية الإلكترونية للبلورات Cd1-xFexTe بوساطة مطيافية الإصدار الضوئي مجلة جامعة تشرين للبحوث والدراسات العلمية، سلسلة العلوم الأساسية |
| title | دراسة البنية الإلكترونية للبلورات Cd1-xFexTe بوساطة مطيافية الإصدار الضوئي |
| title_full | دراسة البنية الإلكترونية للبلورات Cd1-xFexTe بوساطة مطيافية الإصدار الضوئي |
| title_fullStr | دراسة البنية الإلكترونية للبلورات Cd1-xFexTe بوساطة مطيافية الإصدار الضوئي |
| title_full_unstemmed | دراسة البنية الإلكترونية للبلورات Cd1-xFexTe بوساطة مطيافية الإصدار الضوئي |
| title_short | دراسة البنية الإلكترونية للبلورات Cd1-xFexTe بوساطة مطيافية الإصدار الضوئي |
| title_sort | دراسة البنية الإلكترونية للبلورات cd1 xfexte بوساطة مطيافية الإصدار الضوئي |
| url | http://journal.tishreen.edu.sy/index.php/bassnc/article/view/5221 |
| work_keys_str_mv | AT ạbtsạmnʿmạn drạsẗạlbnyẗạlạlktrwnyẗllblwrạtcd1xfextebwsạṭẗmṭyạfyẗạlạṣdạrạlḍwỷy |