عوامل موثر در تهیه لایه های نازک نیمه هادی P/CdTe به روش تبخیر در خلاء
لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل
Main Authors: | عبدالجواد نوین روز, ضرغام اسداللهی, پروین بلاش آبادی |
---|---|
Format: | Article |
Language: | fas |
Published: |
Nuclear Science and Technology Research Institute
2000-07-01
|
Series: | مجله علوم و فنون هستهای |
Online Access: | https://jonsat.nstri.ir/article_814_9500a96c01ed622d2977a18f04a15bf3.pdf |
Similar Items
-
مطالعة تأثیر ضخامت و آهنگ لایهنشانی بر ویژگیهای ساختاری لایههای نازک آلومینیوم بر روی بستر ITO/PEDOT:PSS/Alq3 تهیه شده بهروش تبخیر گرمایی در خلاء
by: محمد رضا فدوی اسلام, et al.
Published: (2023-06-01) -
تهیه لایه نازک CuInSe2 و مطالعه خواص الکتریکی و نوری آن
by: رحیم لطفی اوریمی, et al.
Published: (2000-06-01) -
کاربرد تبدیل موجک گسسته à trous در تشخیص لایههای نازک
by: مریم سلاجقه, et al.
Published: (2021-03-01) -
شبیهسازی رشد لایههای نازک در حضور ذرات فعال و ناخالصی
by: حمیدرضا امامی پور, et al.
Published: (2013-06-01) -
ویژگیهای ساختاری و اپتیکی لایههای نازک ZnS تهیه شده به دو روش متفاوت PVD و اسپری پایرولیزیز
by: محمد رضا خانلری, et al.
Published: (2016-06-01)