Integrated SiGe Detectors for Si Photonic Sensor Platforms

In this work, we present the results of integrated Ge detectors grown on a Si photonic platform for sensing applications. The detectors are fabricated on a passive photonic circuit for maximum coupling efficiency. Measurement results at 1300 nm wavelength show a responsivity of 0.2 A/W and very low...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Grégory Pandraud, Silvana Milosavljevic, Amir Sammak, Matteo Cherchi, Aleksandar Jovic, Pasqualina Sarro
Định dạng: Bài viết
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: MDPI AG 2017-08-01
Loạt:Proceedings
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://www.mdpi.com/2504-3900/1/4/559