Integrated SiGe Detectors for Si Photonic Sensor Platforms
In this work, we present the results of integrated Ge detectors grown on a Si photonic platform for sensing applications. The detectors are fabricated on a passive photonic circuit for maximum coupling efficiency. Measurement results at 1300 nm wavelength show a responsivity of 0.2 A/W and very low...
المؤلفون الرئيسيون: | Grégory Pandraud, Silvana Milosavljevic, Amir Sammak, Matteo Cherchi, Aleksandar Jovic, Pasqualina Sarro |
---|---|
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
MDPI AG
2017-08-01
|
سلاسل: | Proceedings |
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://www.mdpi.com/2504-3900/1/4/559 |
مواد مشابهة
-
SiGe field effect transistors
حسب: Terrence E. Whall, وآخرون
منشور في: (2001-03-01) -
CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4
حسب: Henry H. Radamson, وآخرون
منشور في: (2000-12-01) -
SiGe-On-Insulator (SGOI) Technology and MOSFET Fabrication
حسب: Cheng, Zhiyuan, وآخرون
منشور في: (2003) -
MOSFET Channel Engineering using Strained Si, SiGe, and Ge Channels
حسب: Fitzgerald, Eugene A., وآخرون
منشور في: (2003) -
SiGe-On-Insulator (SGOI): Two Structures for CMOS Application
حسب: Cheng, Zhiyuan, وآخرون
منشور في: (2003)