طراحی جاذب‌ الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی با روش بهینه‌سازی ازدحام ذرات بهبودیافته محلی و الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب

در این مقاله، طراحی یک جاذب الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی، جهت دستیابی به مشخصه‌های ضخامت کم، پهنای ‌باند جذب بالا، میزان‌جذب قابل‌توجه و تعداد لایه‌های حداقل، به‌صورت همزمان، بررسی شده است. برای تحقق هر‌یک از این مشخصه‌ها، اهداف و محدودیت‌های معیینی در روند بهینه‌سازی طراحی جاذب، با بکارگیری دو روش...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: محمد رضا کرمی, صفدر حبیبی, بابک ژاله
Format: Article
Language:fas
Published: Shahid Chamran University of Ahvaz 2016-11-01
Series:پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای
Subjects:
Online Access:https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12466_0a8d7e4de2b88878fe2e90bd57e4a0a2.pdf
_version_ 1797389342721703936
author محمد رضا کرمی
صفدر حبیبی
بابک ژاله
author_facet محمد رضا کرمی
صفدر حبیبی
بابک ژاله
author_sort محمد رضا کرمی
collection DOAJ
description در این مقاله، طراحی یک جاذب الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی، جهت دستیابی به مشخصه‌های ضخامت کم، پهنای ‌باند جذب بالا، میزان‌جذب قابل‌توجه و تعداد لایه‌های حداقل، به‌صورت همزمان، بررسی شده است. برای تحقق هر‌یک از این مشخصه‌ها، اهداف و محدودیت‌های معیینی در روند بهینه‌سازی طراحی جاذب، با بکارگیری دو روش ازدحام ذرات بهبودیافته محلی((MLPSO و الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب نوع دوم(NSGA-II)، در نظرگرفته شده است. در این روش‌های بهینه‌سازی، با اعمال اهداف و محدودیت‌های یاد‌شده و بکارگیری مواد نانوکامپوزیتی بیان شده در مقالات دیگر، طراحی جاذب بر اساس روش تحلیلی خط انتقال(TLM) انجام شده است. بنابراین پارامترهای طراحی ساختار جاذب از قبیل تعداد لایه‌ها، ضخامت هر لایه‌، جنس نانوکامپوزیت در هر لایه و ترتیب قرارگیری لایه‌ها، با در نظرگرفتن تغییرات ضرایب الکترومغناطیسی مواد نانوکامپوزیتی در طیف فرکانس، توسط روش بهینه‌سازی تعیین شده است. جاذب طراحی شده با ضخامتmm 3 و در باند X(GHz 12.4-8) دارای جذب بیش از dB 5/18- و حداکثر جذبdB 57- می‌باشد. جهت بررسی صحت طراحی، ساختار این جاذب در نرم‌افزار CST Microwave Studio شبیه‌سازی شده و میزان جذب به روش حل‌عددی انتگرال‌گیری محدود(FIT) محاسبه گردیده است. میزان خطای محاسباتی روش TLM با FIT، بر اساس تابع خطا معرفی شده در باند X کمتر از 5 درصد می‌باشد.
first_indexed 2024-03-08T22:54:30Z
format Article
id doaj.art-6fa0b758b66347d291d707c0bba2aca9
institution Directory Open Access Journal
issn 2322-231X
2588-4980
language fas
last_indexed 2024-03-08T22:54:30Z
publishDate 2016-11-01
publisher Shahid Chamran University of Ahvaz
record_format Article
series پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای
spelling doaj.art-6fa0b758b66347d291d707c0bba2aca92023-12-16T06:27:58ZfasShahid Chamran University of Ahvazپژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای2322-231X2588-49802016-11-016ویژه نامه شماره 19310510.22055/jrmbs.2016.1246612466طراحی جاذب‌ الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی با روش بهینه‌سازی ازدحام ذرات بهبودیافته محلی و الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوبمحمد رضا کرمی0صفدر حبیبی1بابک ژاله2دانشجواستاداستاددر این مقاله، طراحی یک جاذب الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی، جهت دستیابی به مشخصه‌های ضخامت کم، پهنای ‌باند جذب بالا، میزان‌جذب قابل‌توجه و تعداد لایه‌های حداقل، به‌صورت همزمان، بررسی شده است. برای تحقق هر‌یک از این مشخصه‌ها، اهداف و محدودیت‌های معیینی در روند بهینه‌سازی طراحی جاذب، با بکارگیری دو روش ازدحام ذرات بهبودیافته محلی((MLPSO و الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب نوع دوم(NSGA-II)، در نظرگرفته شده است. در این روش‌های بهینه‌سازی، با اعمال اهداف و محدودیت‌های یاد‌شده و بکارگیری مواد نانوکامپوزیتی بیان شده در مقالات دیگر، طراحی جاذب بر اساس روش تحلیلی خط انتقال(TLM) انجام شده است. بنابراین پارامترهای طراحی ساختار جاذب از قبیل تعداد لایه‌ها، ضخامت هر لایه‌، جنس نانوکامپوزیت در هر لایه و ترتیب قرارگیری لایه‌ها، با در نظرگرفتن تغییرات ضرایب الکترومغناطیسی مواد نانوکامپوزیتی در طیف فرکانس، توسط روش بهینه‌سازی تعیین شده است. جاذب طراحی شده با ضخامتmm 3 و در باند X(GHz 12.4-8) دارای جذب بیش از dB 5/18- و حداکثر جذبdB 57- می‌باشد. جهت بررسی صحت طراحی، ساختار این جاذب در نرم‌افزار CST Microwave Studio شبیه‌سازی شده و میزان جذب به روش حل‌عددی انتگرال‌گیری محدود(FIT) محاسبه گردیده است. میزان خطای محاسباتی روش TLM با FIT، بر اساس تابع خطا معرفی شده در باند X کمتر از 5 درصد می‌باشد.https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12466_0a8d7e4de2b88878fe2e90bd57e4a0a2.pdfجاذب الکترومغناطیسینانوکامپوزیتروش‌ بهینه‌سازی ازدحام ذرات بهبودیافته محلی(mlpso)الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب نوع دوم(nsga-ii)
spellingShingle محمد رضا کرمی
صفدر حبیبی
بابک ژاله
طراحی جاذب‌ الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی با روش بهینه‌سازی ازدحام ذرات بهبودیافته محلی و الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب
پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای
جاذب الکترومغناطیسی
نانوکامپوزیت
روش‌ بهینه‌سازی ازدحام ذرات بهبودیافته محلی(mlpso)
الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب نوع دوم(nsga-ii)
title طراحی جاذب‌ الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی با روش بهینه‌سازی ازدحام ذرات بهبودیافته محلی و الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب
title_full طراحی جاذب‌ الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی با روش بهینه‌سازی ازدحام ذرات بهبودیافته محلی و الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب
title_fullStr طراحی جاذب‌ الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی با روش بهینه‌سازی ازدحام ذرات بهبودیافته محلی و الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب
title_full_unstemmed طراحی جاذب‌ الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی با روش بهینه‌سازی ازدحام ذرات بهبودیافته محلی و الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب
title_short طراحی جاذب‌ الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی با روش بهینه‌سازی ازدحام ذرات بهبودیافته محلی و الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب
title_sort طراحی جاذب‌ الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی با روش بهینه‌سازی ازدحام ذرات بهبودیافته محلی و الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب
topic جاذب الکترومغناطیسی
نانوکامپوزیت
روش‌ بهینه‌سازی ازدحام ذرات بهبودیافته محلی(mlpso)
الگوریتم ژنتیک با مرتب‌سازی نامغلوب نوع دوم(nsga-ii)
url https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12466_0a8d7e4de2b88878fe2e90bd57e4a0a2.pdf
work_keys_str_mv AT mḥmdrḍạḵrmy ṭrạḥyjạdẖbạlḵtrwmgẖnạṭysynạnwḵạmpwzytybạrwsẖbhynhsạzyạzdḥạmdẖrạtbhbwdyạfthmḥlywạlgwrytmzẖntyḵbạmrtbsạzynạmgẖlwb
AT ṣfdrḥbyby ṭrạḥyjạdẖbạlḵtrwmgẖnạṭysynạnwḵạmpwzytybạrwsẖbhynhsạzyạzdḥạmdẖrạtbhbwdyạfthmḥlywạlgwrytmzẖntyḵbạmrtbsạzynạmgẖlwb
AT bạbḵzẖạlh ṭrạḥyjạdẖbạlḵtrwmgẖnạṭysynạnwḵạmpwzytybạrwsẖbhynhsạzyạzdḥạmdẖrạtbhbwdyạfthmḥlywạlgwrytmzẖntyḵbạmrtbsạzynạmgẖlwb