1.3μm InGaAsP/InP长寿命激光器
本交报道精心外延及光刻腐蚀,使外延片质量提高,器件的光电特性得到改善。最低闽值电流I<sub>th</sub>=17mA,外微分效率η=25%(单面),最高连续激射温度为130℃,最大输出功率超过40mW。采用PbSn焊料改进制管工艺,提高了器件的可靠性。器件在25℃时的中值寿命为26万小时。...
Main Authors: | , , , |
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Format: | Article |
Language: | zho |
Published: |
《光通信研究》编辑部
1990-01-01
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Series: | Guangtongxin yanjiu |
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spelling | doaj.art-711485b8b00440cca8993d2bae9ab30b2023-01-30T09:42:17Zzho《光通信研究》编辑部Guangtongxin yanjiu1005-87881990-01-012126275017271.3μm InGaAsP/InP长寿命激光器冉崇竹王德超吴振英王玉章本交报道精心外延及光刻腐蚀,使外延片质量提高,器件的光电特性得到改善。最低闽值电流I<sub>th</sub>=17mA,外微分效率η=25%(单面),最高连续激射温度为130℃,最大输出功率超过40mW。采用PbSn焊料改进制管工艺,提高了器件的可靠性。器件在25℃时的中值寿命为26万小时。http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.1990.01.003 |
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