Стиль цитування APA (7-ме видання)

Seredin, P., Leiste, H., Lenshin, A., & Mizerov, A. (2020). HRXRD study of the effect of a nanoporous silicon layer on the epitaxial growth quality of GaN layer on the templates of SiC/por-Si/c-Si. Elsevier.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Seredin, P.V, H. Leiste, A.S Lenshin, та A.M Mizerov. HRXRD Study of the Effect of a Nanoporous Silicon Layer on the Epitaxial Growth Quality of GaN Layer on the Templates of SiC/por-Si/c-Si. Elsevier, 2020.

Стиль цитування MLA (9-ме видання)

Seredin, P.V, et al. HRXRD Study of the Effect of a Nanoporous Silicon Layer on the Epitaxial Growth Quality of GaN Layer on the Templates of SiC/por-Si/c-Si. Elsevier, 2020.