In-Situ Annealing and Hydrogen Irradiation of Defect-Enhanced Germanium Quantum Dot Light Sources on Silicon

In-Situ Annealing and Hydrogen Irradiation of Defect-Enhanced Germanium Quantum Dot Light Sources on Silicon

While light-emitting nanostructures composed of group-IV materials fulfil the mandatory compatibility with CMOS-fabrication methods, factors such as the structural stability of the nanostructures upon thermal annealing, and the ensuing photoluminescence (PL) emission properties, are of key relevance...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Lukas Spindlberger, Johannes Aberl, Antonio Polimeni, Jeffrey Schuster, Julian Hörschläger, Tia Truglas, Heiko Groiss, Friedrich Schäffler, Thomas Fromherz, Moritz Brehm
Ձևաչափ: Հոդված
Լեզու:English
Հրապարակվել է: MDPI AG 2020-04-01
Շարք:Crystals
Խորագրեր:
germanium
hydrogen
quantum dots
molecular beam epitaxy
defect engineering
silicon
Առցանց հասանելիություն:https://www.mdpi.com/2073-4352/10/5/351

Համացանց

https://www.mdpi.com/2073-4352/10/5/351

Նմանատիպ նյութեր