Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb)
Исследуется явление инверсии градиента профиля алюминия в пленках Ga-Al-Nm (Nm=P, As, Sb), наблюдаемое при жидкофазной эпитаксии методом принудительного охлаждения. Эпитаксия моделируется в приближении Пфанна. Жидкая фаза рассматривается как разбавленный квазирегулярный раствор, а твердая фаза – ка...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute
2019-02-01
|
| Series: | Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elc.kpi.ua/article/view/160164 |
| _version_ | 1818390792153071616 |
|---|---|
| author | Mikhail Removych Dombrougov |
| author_facet | Mikhail Removych Dombrougov |
| author_sort | Mikhail Removych Dombrougov |
| collection | DOAJ |
| description | Исследуется явление инверсии градиента профиля алюминия в пленках Ga-Al-Nm (Nm=P, As, Sb), наблюдаемое при жидкофазной эпитаксии методом принудительного охлаждения.
Эпитаксия моделируется в приближении Пфанна. Жидкая фаза рассматривается как разбавленный квазирегулярный раствор, а твердая фаза – как идеальный раствор.
Показано существование инверсной кривой, связывающей температуру с определенным содержанием алюминия в твердой фазе. Если при охлаждении фигуративная точка ростового раствора пересекает инверсную кривую, происходит инверсия градиента профиля алюминия: эпитаксиальная пленка, прежде нараставшая с уменьшением содержания алюминия, в дальнейшем растет с его увеличением.
Установлены соотношения между видом инверсной кривой и параметрами фазовой диаграммы. Показана принципиальная возможность выращивания в ходе единого технологического процесса планарных гетероструктур Ga-Al-P и Ga-Al-As (но не Ga-Al-Sb), пригодных для изготовления микроэлектронных волноводных устройств.
Библ. 22, рис. 9, табл. 1. |
| first_indexed | 2024-12-14T05:03:15Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-792f1480e7d04d0196b6f1edf65e9ed3 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 2523-4447 2523-4455 |
| language | English |
| last_indexed | 2024-12-14T05:03:15Z |
| publishDate | 2019-02-01 |
| publisher | Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute |
| record_format | Article |
| series | Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika |
| spelling | doaj.art-792f1480e7d04d0196b6f1edf65e9ed32022-12-21T23:16:10ZengIgor Sikorsky Kyiv Polytechnic InstituteMìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika2523-44472523-44552019-02-0124110.20535/2523-4455.2019.24.1.160164160164Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb)Mikhail Removych Dombrougov0Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского"Исследуется явление инверсии градиента профиля алюминия в пленках Ga-Al-Nm (Nm=P, As, Sb), наблюдаемое при жидкофазной эпитаксии методом принудительного охлаждения. Эпитаксия моделируется в приближении Пфанна. Жидкая фаза рассматривается как разбавленный квазирегулярный раствор, а твердая фаза – как идеальный раствор. Показано существование инверсной кривой, связывающей температуру с определенным содержанием алюминия в твердой фазе. Если при охлаждении фигуративная точка ростового раствора пересекает инверсную кривую, происходит инверсия градиента профиля алюминия: эпитаксиальная пленка, прежде нараставшая с уменьшением содержания алюминия, в дальнейшем растет с его увеличением. Установлены соотношения между видом инверсной кривой и параметрами фазовой диаграммы. Показана принципиальная возможность выращивания в ходе единого технологического процесса планарных гетероструктур Ga-Al-P и Ga-Al-As (но не Ga-Al-Sb), пригодных для изготовления микроэлектронных волноводных устройств. Библ. 22, рис. 9, табл. 1.http://elc.kpi.ua/article/view/160164жидкофазная эпитаксияпринудительное охлаждениетвердые растворы А3В5Ga-Al-PGa-Al-AsGa-Al-Sb |
| spellingShingle | Mikhail Removych Dombrougov Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb) Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika жидкофазная эпитаксия принудительное охлаждение твердые растворы А3В5 Ga-Al-P Ga-Al-As Ga-Al-Sb |
| title | Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb) |
| title_full | Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb) |
| title_fullStr | Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb) |
| title_full_unstemmed | Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb) |
| title_short | Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb) |
| title_sort | моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур gaal p as sb |
| topic | жидкофазная эпитаксия принудительное охлаждение твердые растворы А3В5 Ga-Al-P Ga-Al-As Ga-Al-Sb |
| url | http://elc.kpi.ua/article/view/160164 |
| work_keys_str_mv | AT mikhailremovychdombrougov modelirovanieâvleniâinversiigradientaprofilâalûminiâprižidkofaznojépitaksiigeterostrukturgaalpassb |