Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb)
Исследуется явление инверсии градиента профиля алюминия в пленках Ga-Al-Nm (Nm=P, As, Sb), наблюдаемое при жидкофазной эпитаксии методом принудительного охлаждения. Эпитаксия моделируется в приближении Пфанна. Жидкая фаза рассматривается как разбавленный квазирегулярный раствор, а твердая фаза – ка...
Main Author: | Mikhail Removych Dombrougov |
---|---|
Format: | Article |
Language: | English |
Published: |
Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute
2019-02-01
|
Series: | Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika |
Subjects: | |
Online Access: | http://elc.kpi.ua/article/view/160164 |
Similar Items
-
Fully Relaxed, Crack-Free AlGaN with upto 50% Al Composition Grown on Porous GaN Pseudo-Substrate
by: Nirupam Hatui, et al.
Published: (2022-07-01) -
MOCVD Growth of GaSb and Al GaSb
by: E. Sustini, et al.
Published: (2019-01-01) -
Transformation of Light Alkanes into High-Value Aromatics
by: Muhammad Naseem Akhtar
Published: (2024-03-01) -
High Al-content AlGaN channel high electron mobility transistors on silicon substrate
by: J. Mehta, et al.
Published: (2023-03-01) -
High performance 4.7 THz GaAs quantum cascade lasers based on four quantum wells
by: Keita Ohtani, et al.
Published: (2016-01-01)