Influence of strain induced by AlN nucleation layer on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrate

Influence of strain induced by AlN nucleation layer on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrate

The crack-free metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) grown AlGaN/GaN heterostructures on Si substrate with modified growth conditions of AlN nucleation layer (NL) and its influence on the electrical and structural properties of conductive GaN layer are presented. From the Hall electrical m...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Dennis Christy, Arata Watanabe, Takashi Egawa
Định dạng:	Bài viết
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	AIP Publishing LLC 2014-10-01
Loạt:	AIP Advances
Truy cập trực tuyến:	http://dx.doi.org/10.1063/1.4897338

Những quyển sách tương tự

Investigation of interface properties of h-BN and AlN on AlGaN/GaN heterostructures
Bằng: Whiteside, Matthew David
Được phát hành: (2021)

Toward AlGaN channel HEMTs on AlN: Polarization-induced 2DEGs in AlN/AlGaN/AlN heterostructures
Bằng: Jashan Singhal, et al.
Được phát hành: (2022-11-01)

Optical Performance of Two Dimensional Electron Gas and GaN:C Buffer Layers in AlGaN/AlN/GaN Heterostructures on SiC Substrate
Bằng: Roman B. Adamov, et al.
Được phát hành: (2021-06-01)

Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111)
Bằng: Shuiming Li, et al.
Được phát hành: (2016-03-01)

Structural and optical properties of AlN/GaN and AlN/AlGaN/GaN thin films on silicon substrate prepared by plasma assisted molecular beam epitaxy (MBE)
Bằng: Ho Xin Jing, et al.
Được phát hành: (2019-03-01)

Control of yellow photoluminescence in AlGaN/GaN heterostructures
Bằng: Nadezhda B. Gladysheva, et al.
Được phát hành: (2019-06-01)

Influence of the gate position on source-to-drain resistance in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
Bằng: Yan Liu, et al.
Được phát hành: (2017-08-01)

High vertical breakdown strength in with low specific on-resistance AlGaN/AlN/GaN HEMTs on silicon
Bằng: Vicknesh, S., et al.
Được phát hành: (2014)

AlGaN/AlN heterostructures: an emerging platform for integrated photonics
Bằng: Sinan Gündoğdu, et al.
Được phát hành: (2025-01-01)

Atomic-column resolution quantitative composition analysis of AlN interlayer in MOCVD-grown AlGaN/AlN/GaN heterostructure using HAADF-STEM
Bằng: Q. Li, et al.
Được phát hành: (2023-01-01)

Nucleation and growth of GaN/AlN quantum dots
Bằng: Adelmann, C, et al.
Được phát hành: (2004)

Growth and characterization of AlGaN/GaN HEMT heterostructures on 100-mm Si (111) by MBE
Bằng: Manvi Agrawal
Được phát hành: (2013)

Study of Interface of Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructure
Bằng: Joanna Prazmowska, et al.
Được phát hành: (2016-01-01)

Improvement Performance of p-GaN Gate High-Electron-Mobility Transistors with GaN/AlN/AlGaN Barrier Structure
Bằng: An-Chen Liu, et al.
Được phát hành: (2024-04-01)

AlGaN/GaN two-dimensional-electron gas heterostructures on 200 mm diameter Si(111)
Bằng: Dolmanan, S. B., et al.
Được phát hành: (2013)

The Effect of the Barrier Layer on the Uniformity of the Transport Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructures on HR-Si(111)
Bằng: Yujie Yan, et al.
Được phát hành: (2024-04-01)

Strain Balanced AlGaN/GaN/AlGaN nanomembrane HEMTs
Bằng: Tzu-Hsuan Chang, et al.
Được phát hành: (2017-07-01)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
Bằng: Haruka Matsuura, et al.
Được phát hành: (2019-04-01)

Effect of self-heating on electrical characteristics of AlGaN/ GaN HEMT on Si (111) substrate
Bằng: Adarsh Nigam, et al.
Được phát hành: (2017-08-01)

Growth and Device Performance of AlGaN/GaN Heterostructure with AlSiC Precoverage on Silicon Substrate
Bằng: Jae-Hoon Lee, et al.
Được phát hành: (2014-01-01)

Temperature Dependence of the Energy Band Diagram of AlGaN/GaN Heterostructure
Bằng: Yanli Liu, et al.
Được phát hành: (2018-01-01)

AlGaN/GaN heterostructure based 3-dimensional force sensors
Bằng: Péter Lajos Neumann, et al.
Được phát hành: (2023-06-01)

Study of Scandium Based Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructures
Bằng: Grzegorz Ilgiewicz, et al.
Được phát hành: (2021-01-01)

Study of the effect of passivation layers on capacitance of AlGaN/GaN heterostructures
Bằng: Kira L. Enisherlova, et al.
Được phát hành: (2016-12-01)

Role of Self-Heating and Polarization in AlGaN/GaN-Based Heterostructures
Bằng: Khaled Ahmeda, et al.
Được phát hành: (2017-01-01)

Characteristic Analysis of AlGaN/GaN HEMT with Composited Buffer Layer on High-Heat Dissipation Poly-AlN Substrates
Bằng: Chong-Rong Huang, et al.
Được phát hành: (2021-10-01)

Cutoff frequency increase of gate recessed AlGaN/GaN MISHFETs with amorphous AlN insulator
Bằng: Peter Kordoš, et al.
Được phát hành: (2025-02-01)

Optical and Electrical Properties of AlGaN-Based High Electron Mobility Transistors and Photodetectors with AlGaN/AlN/GaN Channel-Stacking Structure
Bằng: Chia-Feng Lin, et al.
Được phát hành: (2024-05-01)

Polariton lasing in AlGaN microring with GaN/AlGaN quantum wells
Bằng: Anthonin Delphan, et al.
Được phát hành: (2023-02-01)

Breakdown mechanism in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
Bằng: Lu, Bin, et al.
Được phát hành: (2012)

Analysis of electrical properties in lateral Schottky barrier diode based on n-GaN and AlGaN/GaN heterostructure
Bằng: Honghui Liu, et al.
Được phát hành: (2022-11-01)

2DEG enhancement via epilayer stress engineering in AlN/GaN/AlN heterostructure
Bằng: Patwal, Shashank
Được phát hành: (2021)

Effect of post-deposition annealing on the interface electronic structures of Al2O3-Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructure
Bằng: Duan, Tian Li, et al.
Được phát hành: (2019)

Enhanced breakdown voltage for p-GaN gate AlGaN/GaN HEMT on AlN/Si with triple trenches: A simulation study
Bằng: Muhaimin Haziq, et al.
Được phát hành: (2024-09-01)

Effects of heavy Si doping on the structural and optical properties of n-GaN/AlN/Si(111) heterostructures
Bằng: M A Zambrano-Serrano, et al.
Được phát hành: (2022-01-01)

Demonstration of AlGaN/GaN MISHEMT on Si with low-temperature epitaxy grown AlN dielectric gate
Bằng: Whiteside, Matthew, et al.
Được phát hành: (2021)

Variable range hopping-assisted parasitic channel leakage in AlN/GaN/AlGaN HEMTs on Si
Bằng: Liu, Siyu, et al.
Được phát hành: (2024)

Coherent tunneling in an AlGaN/AlN/GaN heterojunction captured through an analogy with a MOS contact
Bằng: Yannick Baines, et al.
Được phát hành: (2017-08-01)

Structural properties of GaN grown on AlGaN/AlN stress mitigating layers on 100-mm Si (111) by ammonia molecular beam epitaxy
Bằng: Agrawal, M., et al.
Được phát hành: (2013)

Use of Laser Interferometry to Determine the End Time of the Plasma-Chemical Etching of p-GaN and AlGaN Layers of the p-GaN/AlGaN/GaN Heterostructure with Two-Dimensional Electron Gas
Bằng: A. D. Yunik, et al.
Được phát hành: (2022-12-01)