Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas

In this paper the open, circular cross-section cylindrical gyro- electric p-GaAs (semiconductor-dielectric) waveguides with temperature-sensitive anisotropic dielectric layer are investigated. The gyroelectric phase shifters without anisotropic dielectric layer are not effective. The anisotropic lay...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Darius Plonis, Vacius Mališauskas
Format: Article
Language:English
Published: Vilnius Gediminas Technical University 2014-04-01
Series:Mokslas: Lietuvos Ateitis
Subjects:
Online Access:http://journals.vgtu.lt/index.php/MLA/article/view/3541
_version_ 1818999559721844736
author Darius Plonis
Vacius Mališauskas
author_facet Darius Plonis
Vacius Mališauskas
author_sort Darius Plonis
collection DOAJ
description In this paper the open, circular cross-section cylindrical gyro- electric p-GaAs (semiconductor-dielectric) waveguides with temperature-sensitive anisotropic dielectric layer are investigated. The gyroelectric phase shifters without anisotropic dielectric layer are not effective. The anisotropic layer increases the mode HE11 differential phase shift to 1060° and 1250°, when temperature T = (125–200) K, N = 5∙1019 and N = 1020 m–3 respectively. Propagated mode HE11 in gyroelectric p-GaAs waveguides, the attenuation coefficient increases, increasing the concentration of holes. The anisotropic dielectric layer reduces the mode attenuation, it is appropriate to create gyroelectric mode phase shifters with a lower hole concentration and anisotropic dielectric layer. Santrauka Tiriami atvirieji, apskritojo skerspjūvio cilindriniai, giroelektriniai p-GaAs (puslaidininkiniai-dielektriniai) bangolaidžiai su jautriais temperatūrai puslaidininkine šerdimi ir anizotropiniu dielektriko sluoksniu. Šis sluoksnis padidina hibridinių pagrindinio tipo HE11 bangų diferencinį fazės pokytį iki 1060° ir 1250°, kylant temperatūrai (125–200) K ruože, kai puslaidininkio skylučių koncentracija N atitinkamai yra 5∙1019 m–3 ir 1020 m–3. Giroelektriniuose p-GaAs bangolaidžiuose HE11 bangų silpimo koeficientas didėja, didinant skylučių koncentraciją, bet anizotropinio dielektriko sluoksnis mažina bangų silpimą. Todėl, kuriant temperatūra valdomus giroelektrinius bangų fazės keitiklius, tikslinga naudoti bangolaidžius su mažesnės koncentracijos skylutėmis ir jautriu temperatūrai anizotropinio dielektriko sluoksniu. Reikšminiai žodžiai: giroelektriniai bangolaidžiai, anizotropinis dielektriko sluoksnis, diferencinis fazės pokytis, bangų silpimo koeficientas.
first_indexed 2024-12-20T22:19:21Z
format Article
id doaj.art-88d9c714f7654416b4261e8c7e64b24e
institution Directory Open Access Journal
issn 2029-2341
2029-2252
language English
last_indexed 2024-12-20T22:19:21Z
publishDate 2014-04-01
publisher Vilnius Gediminas Technical University
record_format Article
series Mokslas: Lietuvos Ateitis
spelling doaj.art-88d9c714f7654416b4261e8c7e64b24e2022-12-21T19:24:58ZengVilnius Gediminas Technical UniversityMokslas: Lietuvos Ateitis2029-23412029-22522014-04-016210.3846/mla.2014.33Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimasDarius Plonis0Vacius Mališauskas1Vilniaus Gedimino technikos universitetasVilniaus Gedimino technikos universitetasIn this paper the open, circular cross-section cylindrical gyro- electric p-GaAs (semiconductor-dielectric) waveguides with temperature-sensitive anisotropic dielectric layer are investigated. The gyroelectric phase shifters without anisotropic dielectric layer are not effective. The anisotropic layer increases the mode HE11 differential phase shift to 1060° and 1250°, when temperature T = (125–200) K, N = 5∙1019 and N = 1020 m–3 respectively. Propagated mode HE11 in gyroelectric p-GaAs waveguides, the attenuation coefficient increases, increasing the concentration of holes. The anisotropic dielectric layer reduces the mode attenuation, it is appropriate to create gyroelectric mode phase shifters with a lower hole concentration and anisotropic dielectric layer. Santrauka Tiriami atvirieji, apskritojo skerspjūvio cilindriniai, giroelektriniai p-GaAs (puslaidininkiniai-dielektriniai) bangolaidžiai su jautriais temperatūrai puslaidininkine šerdimi ir anizotropiniu dielektriko sluoksniu. Šis sluoksnis padidina hibridinių pagrindinio tipo HE11 bangų diferencinį fazės pokytį iki 1060° ir 1250°, kylant temperatūrai (125–200) K ruože, kai puslaidininkio skylučių koncentracija N atitinkamai yra 5∙1019 m–3 ir 1020 m–3. Giroelektriniuose p-GaAs bangolaidžiuose HE11 bangų silpimo koeficientas didėja, didinant skylučių koncentraciją, bet anizotropinio dielektriko sluoksnis mažina bangų silpimą. Todėl, kuriant temperatūra valdomus giroelektrinius bangų fazės keitiklius, tikslinga naudoti bangolaidžius su mažesnės koncentracijos skylutėmis ir jautriu temperatūrai anizotropinio dielektriko sluoksniu. Reikšminiai žodžiai: giroelektriniai bangolaidžiai, anizotropinis dielektriko sluoksnis, diferencinis fazės pokytis, bangų silpimo koeficientas.http://journals.vgtu.lt/index.php/MLA/article/view/3541gyroelectric waveguidesanisotropic dielectric layerdifferential phase shiftmode attenuation coefficient
spellingShingle Darius Plonis
Vacius Mališauskas
Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas
Mokslas: Lietuvos Ateitis
gyroelectric waveguides
anisotropic dielectric layer
differential phase shift
mode attenuation coefficient
title Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas
title_full Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas
title_fullStr Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas
title_full_unstemmed Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas
title_short Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas
title_sort investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer giroelektriniu bangolaidziu su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas
topic gyroelectric waveguides
anisotropic dielectric layer
differential phase shift
mode attenuation coefficient
url http://journals.vgtu.lt/index.php/MLA/article/view/3541
work_keys_str_mv AT dariusplonis investigationofgyroelectricwaveguideswithanisotropicdielectriclayergiroelektriniubangolaidziusuanizotropiniudielektrikosluoksniutyrimas
AT vaciusmalisauskas investigationofgyroelectricwaveguideswithanisotropicdielectriclayergiroelektriniubangolaidziusuanizotropiniudielektrikosluoksniutyrimas