Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas
In this paper the open, circular cross-section cylindrical gyro- electric p-GaAs (semiconductor-dielectric) waveguides with temperature-sensitive anisotropic dielectric layer are investigated. The gyroelectric phase shifters without anisotropic dielectric layer are not effective. The anisotropic lay...
Main Authors: | , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | English |
Published: |
Vilnius Gediminas Technical University
2014-04-01
|
Series: | Mokslas: Lietuvos Ateitis |
Subjects: | |
Online Access: | http://journals.vgtu.lt/index.php/MLA/article/view/3541 |
_version_ | 1818999559721844736 |
---|---|
author | Darius Plonis Vacius Mališauskas |
author_facet | Darius Plonis Vacius Mališauskas |
author_sort | Darius Plonis |
collection | DOAJ |
description | In this paper the open, circular cross-section cylindrical gyro- electric p-GaAs (semiconductor-dielectric) waveguides with temperature-sensitive anisotropic dielectric layer are investigated. The gyroelectric phase shifters without anisotropic dielectric layer are not effective. The anisotropic layer increases the mode HE11 differential phase shift to 1060° and 1250°, when temperature T = (125–200) K, N = 5∙1019 and N = 1020 m–3 respectively. Propagated mode HE11 in gyroelectric p-GaAs waveguides, the attenuation coefficient increases, increasing the concentration of holes. The anisotropic dielectric layer reduces the mode attenuation, it is appropriate to create gyroelectric mode phase shifters with a lower hole concentration and anisotropic dielectric layer.
Santrauka
Tiriami atvirieji, apskritojo skerspjūvio cilindriniai, giroelektriniai p-GaAs (puslaidininkiniai-dielektriniai) bangolaidžiai su jautriais temperatūrai puslaidininkine šerdimi ir anizotropiniu dielektriko sluoksniu. Šis sluoksnis padidina hibridinių pagrindinio tipo HE11 bangų diferencinį fazės pokytį iki 1060° ir 1250°, kylant temperatūrai (125–200) K ruože, kai puslaidininkio skylučių koncentracija N atitinkamai yra 5∙1019 m–3 ir 1020 m–3. Giroelektriniuose p-GaAs bangolaidžiuose HE11 bangų silpimo koeficientas didėja, didinant skylučių koncentraciją, bet anizotropinio dielektriko sluoksnis mažina bangų silpimą. Todėl, kuriant temperatūra valdomus giroelektrinius bangų fazės keitiklius, tikslinga naudoti bangolaidžius su mažesnės koncentracijos skylutėmis ir jautriu temperatūrai anizotropinio dielektriko sluoksniu.
Reikšminiai žodžiai: giroelektriniai bangolaidžiai, anizotropinis dielektriko sluoksnis, diferencinis fazės pokytis, bangų silpimo koeficientas. |
first_indexed | 2024-12-20T22:19:21Z |
format | Article |
id | doaj.art-88d9c714f7654416b4261e8c7e64b24e |
institution | Directory Open Access Journal |
issn | 2029-2341 2029-2252 |
language | English |
last_indexed | 2024-12-20T22:19:21Z |
publishDate | 2014-04-01 |
publisher | Vilnius Gediminas Technical University |
record_format | Article |
series | Mokslas: Lietuvos Ateitis |
spelling | doaj.art-88d9c714f7654416b4261e8c7e64b24e2022-12-21T19:24:58ZengVilnius Gediminas Technical UniversityMokslas: Lietuvos Ateitis2029-23412029-22522014-04-016210.3846/mla.2014.33Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimasDarius Plonis0Vacius Mališauskas1Vilniaus Gedimino technikos universitetasVilniaus Gedimino technikos universitetasIn this paper the open, circular cross-section cylindrical gyro- electric p-GaAs (semiconductor-dielectric) waveguides with temperature-sensitive anisotropic dielectric layer are investigated. The gyroelectric phase shifters without anisotropic dielectric layer are not effective. The anisotropic layer increases the mode HE11 differential phase shift to 1060° and 1250°, when temperature T = (125–200) K, N = 5∙1019 and N = 1020 m–3 respectively. Propagated mode HE11 in gyroelectric p-GaAs waveguides, the attenuation coefficient increases, increasing the concentration of holes. The anisotropic dielectric layer reduces the mode attenuation, it is appropriate to create gyroelectric mode phase shifters with a lower hole concentration and anisotropic dielectric layer. Santrauka Tiriami atvirieji, apskritojo skerspjūvio cilindriniai, giroelektriniai p-GaAs (puslaidininkiniai-dielektriniai) bangolaidžiai su jautriais temperatūrai puslaidininkine šerdimi ir anizotropiniu dielektriko sluoksniu. Šis sluoksnis padidina hibridinių pagrindinio tipo HE11 bangų diferencinį fazės pokytį iki 1060° ir 1250°, kylant temperatūrai (125–200) K ruože, kai puslaidininkio skylučių koncentracija N atitinkamai yra 5∙1019 m–3 ir 1020 m–3. Giroelektriniuose p-GaAs bangolaidžiuose HE11 bangų silpimo koeficientas didėja, didinant skylučių koncentraciją, bet anizotropinio dielektriko sluoksnis mažina bangų silpimą. Todėl, kuriant temperatūra valdomus giroelektrinius bangų fazės keitiklius, tikslinga naudoti bangolaidžius su mažesnės koncentracijos skylutėmis ir jautriu temperatūrai anizotropinio dielektriko sluoksniu. Reikšminiai žodžiai: giroelektriniai bangolaidžiai, anizotropinis dielektriko sluoksnis, diferencinis fazės pokytis, bangų silpimo koeficientas.http://journals.vgtu.lt/index.php/MLA/article/view/3541gyroelectric waveguidesanisotropic dielectric layerdifferential phase shiftmode attenuation coefficient |
spellingShingle | Darius Plonis Vacius Mališauskas Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas Mokslas: Lietuvos Ateitis gyroelectric waveguides anisotropic dielectric layer differential phase shift mode attenuation coefficient |
title | Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas |
title_full | Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas |
title_fullStr | Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas |
title_full_unstemmed | Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas |
title_short | Investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer / Giroelektrinių bangolaidžių su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas |
title_sort | investigation of gyroelectric waveguides with anisotropic dielectric layer giroelektriniu bangolaidziu su anizotropiniu dielektriko sluoksniu tyrimas |
topic | gyroelectric waveguides anisotropic dielectric layer differential phase shift mode attenuation coefficient |
url | http://journals.vgtu.lt/index.php/MLA/article/view/3541 |
work_keys_str_mv | AT dariusplonis investigationofgyroelectricwaveguideswithanisotropicdielectriclayergiroelektriniubangolaidziusuanizotropiniudielektrikosluoksniutyrimas AT vaciusmalisauskas investigationofgyroelectricwaveguideswithanisotropicdielectriclayergiroelektriniubangolaidziusuanizotropiniudielektrikosluoksniutyrimas |