بررسی ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی نانودیسک‌ها و نانوسیم‌های کربنی در تقریب تنگ‌بست
در این مقاله، چگالی حالت‌های الکترونی، ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی نانودیسک‌ها و نانوسیم‌های کربنی با قطرهای مختلف با استفاده از تقریب تنگ‌بست و رهیافت تابع گرین محاسبه می‌گردد. نتایج نشان می‌دهد که با افزایش قطر، نانودیسک‌ها از حالت نیمرسانا به سمت شبه‌فلز میل می‌کنند که با دیگر نتایج نظری مط...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2021-08-01
|
| Series: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_16986_a3c064ba4f1be44cb8489c3d56ba3c3b.pdf |
| Summary: | در این مقاله، چگالی حالت‌های الکترونی، ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی نانودیسک‌ها و نانوسیم‌های کربنی با قطرهای مختلف با استفاده از تقریب تنگ‌بست و رهیافت تابع گرین محاسبه می‌گردد. نتایج نشان می‌دهد که با افزایش قطر، نانودیسک‌ها از حالت نیمرسانا به سمت شبه‌فلز میل می‌کنند که با دیگر نتایج نظری مطابقت دارد و نانوسیم‌ها نیز با افزایش قطر، رفتار فلزی از خود نشان می‌دهند. هم‌چنین مشاهده می‌گردد که با افزایش قطر این نانوساختارها، تعداد تکینگی‌های وان-هوف در نمودار چگالی حالت‌ها نیز افزایش می‌یابد. در منحنی ظرفیت گرمایی این دو نانوساختار، قلۀ بی‌هنجاری شاتکی مشاهده می‌شود، که این قله، برای نانودیسک و نانوسیم با بیشترین قطر، ارتفاع کمتری دارد. به دلیل وجود تکینگی‌های وان-هوف در منحنی چگالی حالت‌ها، یک مقدار بیشینه در منحنی‌های پذیرفتاری مغناطیسی مشاهده می‌گردد که منحنی‌ها را به دو بخش دماهای بالا و پایین تقسیم می‌کند. هم‌چنین نتیجه می‌شود که در دماهای پایین، با افزایش قطر نانودیسک‌ها و نانوسیم‌ها، پذیرفتاری مغناطیسی نیز افزایش می‌یابد. این مقادیر بیشینه در منحنی ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی سایر نانوساختارهای گرافینی و شبه گرافینی نیز مشاهده شده است. |
|---|---|
| ISSN: | 2322-231X 2588-4980 |