Elektrokimyasal büyütme tekniğiyle büyütülen geçirgen NiO ince filmlerin hazırlanması ve karakterizasyonu

ITO altlık üzerine geçirgen NiO (nikel oksit) ince filmler farklı katodik akımlarda elektrokimyasal büyütme tekniği ile büyütülmüştür. Büyütme sonrası filmler 350 °C’de hava ortamında 2 sa. tavlanmıştır. X-ışını kırınım (XRD) örnekleri altlık üzerine büyütülen filmlerin (111), (200) ve (222) yöneli...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Kübra Çınar Demir
Format: Article
Language:English
Published: Pamukkale University 2018-12-01
Series:Pamukkale University Journal of Engineering Sciences
Subjects:
Online Access:http://dergipark.gov.tr/pajes/issue/41410/504325?publisher=pamukkale
Description
Summary:ITO altlık üzerine geçirgen NiO (nikel oksit) ince filmler farklı katodik akımlarda elektrokimyasal büyütme tekniği ile büyütülmüştür. Büyütme sonrası filmler 350 °C’de hava ortamında 2 sa. tavlanmıştır. X-ışını kırınım (XRD) örnekleri altlık üzerine büyütülen filmlerin (111), (200) ve (222) yönelimlere sahip tek fazlı kübik yapılı polikristal olduklarını göstermiştir. Soğurma ölçümleriyle büyütülen NiO filmlerin band aralığı 2.85 eV olarak hesaplanmıştır. 310-800 nm aralığında alınan Fotolüminesans (PL) ölçümlerinden NiO ince filmlerin üç emisyon pikine sahip olduğu görülmüştür. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile büyütülen filmlerin yüzey morfolojisi incelenmiştir. Fourier Dönüşümlü İnfrared Spektroskopi (FTIR) analizleriyle filmlerin oluşumunda Ni-O bağların titreşim modlarına sahip olduğu ortaya çıkarılmış ve filmlerin görünür bölgede %50 ile %80 arasında ortalama bir optik geçirgenliğe sahip olduğu görülmüştür. XPS ölçümleri Ni/O yönelimi ve farklı büyütme koşullarına bağlı olarak büyütülen NiO filmlerin kimyasal bağlanma durumları gibi kimyasal özelliklerini incelemek için gerçekleştirilmiştir. Raman ölçümleri elektrokimyasal olarak büyütülen NiO filmlerinin stokiyometrik olmadığını göstermiştir. Görüldüğü gibi, NiO nanoparçacıkların yoğunluğu ve morfolojisinin optoelektronik aygıtların oluşumunda oldukça önemli olduğu anlaşılmıştır.
ISSN:1300-7009
2147-5881