Ⅲ—V族化合物半导体欧姆接触研究的进展
本文介绍一种解释欧姆接触的比接触电阻ρ<sub>c</sub>的新模型。并从理论上分析了利用RF溅射清洗半导体表面可使ρ<sub>c</sub>降低的机理。
| Main Author: | |
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| Format: | Article |
| Language: | zho |
| Published: |
《光通信研究》编辑部
1987-01-01
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| Series: | Guangtongxin yanjiu |
| Online Access: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.1987.02.005 |
| Summary: | 本文介绍一种解释欧姆接触的比接触电阻ρ<sub>c</sub>的新模型。并从理论上分析了利用RF溅射清洗半导体表面可使ρ<sub>c</sub>降低的机理。 |
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| ISSN: | 1005-8788 |