ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی ابرشبکه
در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی،...
Main Authors: | , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | fas |
Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2017-11-01
|
Series: | پژوهش سیستمهای بسذرهای |
Subjects: | |
Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13305_4f0ad28345233bf17049e7d84213b7b4.pdf |
_version_ | 1797389353578659840 |
---|---|
author | فرهاد خوئینی زهرا جعفرخانی مریم خلخالی |
author_facet | فرهاد خوئینی زهرا جعفرخانی مریم خلخالی |
author_sort | فرهاد خوئینی |
collection | DOAJ |
description | در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز- نیمرسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به آن اعمال می شود، پهنای گاف انرژی قابل کنترل خواهد بود به طوری که با افزایش پهنا، گاف نواری افزایش می یابد. افزون بر این، با اعمال بی نظمی، شاهد کاهش رسانش و افزایش پهنای گاف نواری خواهیم بود. می توان با کنترل پارامترهایی مانند پهنای موثر، غلظت بی نظمی، بزرگی میدان الکتریکی و تبادلی گاف اسپینی سامانه را کنترل نمود. |
first_indexed | 2024-03-08T22:54:38Z |
format | Article |
id | doaj.art-925b90c1dd8e412cbf04b7ec0a7b5ce5 |
institution | Directory Open Access Journal |
issn | 2322-231X 2588-4980 |
language | fas |
last_indexed | 2024-03-08T22:54:38Z |
publishDate | 2017-11-01 |
publisher | Shahid Chamran University of Ahvaz |
record_format | Article |
series | پژوهش سیستمهای بسذرهای |
spelling | doaj.art-925b90c1dd8e412cbf04b7ec0a7b5ce52023-12-16T06:34:42ZfasShahid Chamran University of Ahvazپژوهش سیستمهای بسذرهای2322-231X2588-49802017-11-01714899810.22055/jrmbs.2017.17965.119713305ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی ابرشبکهفرهاد خوئینی0زهرا جعفرخانی1مریم خلخالی2عضو هیئت علمی گروه فیزیک، دانشگاه زنجان، زنجان، ایراندانشجودانشجوی دکتریدر این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز- نیمرسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به آن اعمال می شود، پهنای گاف انرژی قابل کنترل خواهد بود به طوری که با افزایش پهنا، گاف نواری افزایش می یابد. افزون بر این، با اعمال بی نظمی، شاهد کاهش رسانش و افزایش پهنای گاف نواری خواهیم بود. می توان با کنترل پارامترهایی مانند پهنای موثر، غلظت بی نظمی، بزرگی میدان الکتریکی و تبادلی گاف اسپینی سامانه را کنترل نمود.https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13305_4f0ad28345233bf17049e7d84213b7b4.pdfنانونوارسیلیسینیابرشبکهترابرداسپینیمدل تنگابستتابع گرین |
spellingShingle | فرهاد خوئینی زهرا جعفرخانی مریم خلخالی ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی ابرشبکه پژوهش سیستمهای بسذرهای نانونوارسیلیسینی ابرشبکه ترابرداسپینی مدل تنگابست تابع گرین |
title | ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی ابرشبکه |
title_full | ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی ابرشبکه |
title_fullStr | ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی ابرشبکه |
title_full_unstemmed | ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی ابرشبکه |
title_short | ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی ابرشبکه |
title_sort | ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی ابرشبکه |
topic | نانونوارسیلیسینی ابرشبکه ترابرداسپینی مدل تنگابست تابع گرین |
url | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13305_4f0ad28345233bf17049e7d84213b7b4.pdf |
work_keys_str_mv | AT frhạdkẖwỷyny trạbrdạspynydryḵnạnwnwạrsylysynyạbrsẖbḵh AT zhrạjʿfrkẖạny trạbrdạspynydryḵnạnwnwạrsylysynyạbrsẖbḵh AT mrymkẖlkẖạly trạbrdạspynydryḵnạnwnwạrsylysynyạbrsẖbḵh |