Finite element 3D model of a double quantum ring: effects of electric and laser fields on the interband transition

In this work, the changes in the energy of electrons and holes, oscillator strength and interband transition time when external fields are applied to a GaAs/AlGaAs semiconductor double ring grown by the droplet epitaxy technique are theoretically analyzed. We consider a static electric field and an...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς: A Radu, C Stan, D Bejan
Μορφή: Άρθρο
Γλώσσα:English
Έκδοση: IOP Publishing 2023-01-01
Σειρά:New Journal of Physics
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:https://doi.org/10.1088/1367-2630/ad0b5f