SỰ KẾT CẶP CỦA PHONON-PLASMON QUANG DỌC TRONG CÁC LỚP BÁN DẪN InGaN

Trong bài báo này, chúng tôi khảo sát sự tồn tại của các mode kết cặp phonon quang dọc (LO phonon)-plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN bằng lý thuyết hàm điện môi. Chúng tôi sử dụng một sóng hồng ngoại phân cực p chiếu xiên lên các lớp màng mỏng bán dẫn, từ đó chúng tôi quan sát thấy sự xuất hiện củ...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Duong Dinh Phuoc, Dinh Nhu Thao
Format: Article
Language:English
Published: HUJOS 2021-03-01
Series:Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên
Online Access:http://jos.hueuni.edu.vn/index.php/HUJOS-NS/article/view/5964
_version_ 1798028020372471808
author Duong Dinh Phuoc
Dinh Nhu Thao
author_facet Duong Dinh Phuoc
Dinh Nhu Thao
author_sort Duong Dinh Phuoc
collection DOAJ
description Trong bài báo này, chúng tôi khảo sát sự tồn tại của các mode kết cặp phonon quang dọc (LO phonon)-plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN bằng lý thuyết hàm điện môi. Chúng tôi sử dụng một sóng hồng ngoại phân cực p chiếu xiên lên các lớp màng mỏng bán dẫn, từ đó chúng tôi quan sát thấy sự xuất hiện của bốn cực tiểu phân biệt trong phổ truyền qua của vật liệu. Hai cực tiểu đầu tiên tương ứng với các mode phonon quang ngang của hai bán dẫn thành phần InN và GaN, trong khi hai cực tiểu còn lại là các mode kết cặp LO phonon-plasmon. Bên cạnh đó, chúng tôi đã lần đầu tiên đưa ra được một phương trình dùng để tính số tần số của các mode kết cặp này. Ngoài ra, chúng tôi cũng khảo sát chi tiết ảnh hưởng của mật độ electron lên các mode kết cặp LO phonon quang dọc – plasmon.
first_indexed 2024-04-11T19:02:05Z
format Article
id doaj.art-ab0e13df227d4b279e2f7ce416125d3b
institution Directory Open Access Journal
issn 1859-1388
2615-9678
language English
last_indexed 2024-04-11T19:02:05Z
publishDate 2021-03-01
publisher HUJOS
record_format Article
series Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên
spelling doaj.art-ab0e13df227d4b279e2f7ce416125d3b2022-12-22T04:08:00ZengHUJOSTạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên1859-13882615-96782021-03-011301A10.26459/hueunijns.v130i1A.5964SỰ KẾT CẶP CỦA PHONON-PLASMON QUANG DỌC TRONG CÁC LỚP BÁN DẪN InGaNDuong Dinh Phuoc0Dinh Nhu Thao1Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế, 34 Lê Lợi, Huế, Việt NamTrường Đại học Sư phạm, Đại học Huế, 34 Lê Lợi, Huế, Việt NamTrong bài báo này, chúng tôi khảo sát sự tồn tại của các mode kết cặp phonon quang dọc (LO phonon)-plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN bằng lý thuyết hàm điện môi. Chúng tôi sử dụng một sóng hồng ngoại phân cực p chiếu xiên lên các lớp màng mỏng bán dẫn, từ đó chúng tôi quan sát thấy sự xuất hiện của bốn cực tiểu phân biệt trong phổ truyền qua của vật liệu. Hai cực tiểu đầu tiên tương ứng với các mode phonon quang ngang của hai bán dẫn thành phần InN và GaN, trong khi hai cực tiểu còn lại là các mode kết cặp LO phonon-plasmon. Bên cạnh đó, chúng tôi đã lần đầu tiên đưa ra được một phương trình dùng để tính số tần số của các mode kết cặp này. Ngoài ra, chúng tôi cũng khảo sát chi tiết ảnh hưởng của mật độ electron lên các mode kết cặp LO phonon quang dọc – plasmon.http://jos.hueuni.edu.vn/index.php/HUJOS-NS/article/view/5964
spellingShingle Duong Dinh Phuoc
Dinh Nhu Thao
SỰ KẾT CẶP CỦA PHONON-PLASMON QUANG DỌC TRONG CÁC LỚP BÁN DẪN InGaN
Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên
title SỰ KẾT CẶP CỦA PHONON-PLASMON QUANG DỌC TRONG CÁC LỚP BÁN DẪN InGaN
title_full SỰ KẾT CẶP CỦA PHONON-PLASMON QUANG DỌC TRONG CÁC LỚP BÁN DẪN InGaN
title_fullStr SỰ KẾT CẶP CỦA PHONON-PLASMON QUANG DỌC TRONG CÁC LỚP BÁN DẪN InGaN
title_full_unstemmed SỰ KẾT CẶP CỦA PHONON-PLASMON QUANG DỌC TRONG CÁC LỚP BÁN DẪN InGaN
title_short SỰ KẾT CẶP CỦA PHONON-PLASMON QUANG DỌC TRONG CÁC LỚP BÁN DẪN InGaN
title_sort su ket cap cua phonon plasmon quang doc trong cac lop ban dan ingan
url http://jos.hueuni.edu.vn/index.php/HUJOS-NS/article/view/5964
work_keys_str_mv AT duongdinhphuoc suketcapcuaphononplasmonquangdoctrongcaclopbandaningan
AT dinhnhuthao suketcapcuaphononplasmonquangdoctrongcaclopbandaningan