Tính chất điện tử của dãy nano penta-graphene biên răng cưa sai hỏng dạng khuyết

Trong bài báo này, tính chất điện tử của các dãy penta-graphene dạng răng cưa (SSPGNR) sai hỏng dạng khuyết (DSSPGNRs) được nghiên cứu bằng cách tính năng lượng liên kết, cấu trúc vùng điện tử và mật độ trạng thái bởi phương pháp nguyên lý ban đầu. Ba kiểu khuyết được khảo sát trong nghiên cứu này...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Nguyễn Thành Tiên, Lê Võ Phương Thuận, Đào Hoàng Chương, Võ Thị Ngọc Huyền
Format: Article
Language:Vietnamese
Published: Can Tho University Publisher 2021-10-01
Series:Tạp chí Khoa học Đại học Cần Thơ
Subjects:
Online Access:https://ctujsvn.ctu.edu.vn/index.php/ctujsvn/article/view/4046
Description
Summary:Trong bài báo này, tính chất điện tử của các dãy penta-graphene dạng răng cưa (SSPGNR) sai hỏng dạng khuyết (DSSPGNRs) được nghiên cứu bằng cách tính năng lượng liên kết, cấu trúc vùng điện tử và mật độ trạng thái bởi phương pháp nguyên lý ban đầu. Ba kiểu khuyết được khảo sát trong nghiên cứu này là khuyết đơn nguyên tử C1, C2 và khuyết đồng thời hai nguyên tử C2. Kết quả nghiên cứu cho thấy DSSPGNR có độ rộng vùng cấm giảm đáng kể so với mẫu không khuyết. Trong đó, DSSPGNRs  khuyết đồng thời hai nguyên tử C2 có độ rộng vùng cấm giảm nhiều hơn so với DSSPGNRs khuyết đơn nguyên tử. Kết quả nghiên cứu này cung cấp thông tin quan trọng cho việc phát triển ứng dụng penta-graphene trong lĩnh vực vi điện tử.
ISSN:1859-2333
2815-5599