МОДЕЛЬ ТЕРМОМЕТРИЧНОЇ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДІОДНОГО СЕНСОРА ТЕМПЕРАТУРИ
Проблематика. Мікроелектронні технології дозволяють створити структури з високою чутливістю до зовнішніх впливів. У напівпровідниковій мікроелектроніці це структури типу потенційного бар’єру на p-n переході. Кремнієві діодні сенсори мають високу термочутливість у широкому діапазоні температур. Розро...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | English |
| Publicado: |
Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute
2023-10-01
|
| Series: | KPI Science News |
| Subjects: | |
| Acceso en liña: | http://scinews.kpi.ua/article/view/251016 |