МОДЕЛЬ ТЕРМОМЕТРИЧНОЇ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДІОДНОГО СЕНСОРА ТЕМПЕРАТУРИ
Проблематика. Мікроелектронні технології дозволяють створити структури з високою чутливістю до зовнішніх впливів. У напівпровідниковій мікроелектроніці це структури типу потенційного бар’єру на p-n переході. Кремнієві діодні сенсори мають високу термочутливість у широкому діапазоні температур. Розро...
Main Authors: | Petro Yaganov, Leonid Pavlov |
---|---|
Format: | Article |
Language: | English |
Published: |
Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute
2023-10-01
|
Series: | KPI Science News |
Subjects: | |
Online Access: | http://scinews.kpi.ua/article/view/251016 |
Similar Items
-
RECOVERDI METOD APPLICABILITI OF VACCUM DIODE VOLT-AMPER CHARACTERISTICS BASED ON A SINGLE HIGH-VOLTAGE PULSE
by: А. П. Кислицын, et al.
Published: (2016-06-01) -
Мікромініатюрні сенсори тиску на основі діодних структур
by: Vladyslav Anatoliiovych Klymenko, et al.
Published: (2023-05-01) -
CALCULATION OF STATIC PARAMETERS OF SILICON DIODE CONTAINING δ-LAYER OF TRIPLE-CHARGED POINT DEFECTS IN SYMMETRIC p–n-JUNCTION
by: N. A. Poklonski, et al.
Published: (2018-06-01) -
QUALITY ANALYSIS OF THE GATE DIELECTRIC OF THE MOS-STRUCTURES BY CAPACITY-VOLTAGE CHARACTERISTICS
by: V. B. Odzhaev, et al.
Published: (2015-08-01) -
СЕНСОРИ НА ОСНОВІ НАНОЦЕЛЮЛОЗИ ДЛЯ БІОРОЗКАДНОЇ, ГНУЧКОЇ, ОДНОРАЗОВОЇ І НОСИМОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
by: Arsenii Naidonov, et al.
Published: (2023-10-01)