استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک
در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs وZnO پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2016-06-01
|
| Series: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12083_b3dec056d891671218325255c9939c4e.pdf |
| Summary: | در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs وZnO پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیمرسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی با ثابت دی‌الکتریک کوچک (کوچکتر از ثابت دی‌الکتریک نیمرسانا) قدرت تابع دی‌الکتریک افزایش می‌یابد. همچنین رفتار تابع دی‌الکتریک برحسب تغییرات شعاع، چگالی حامل نانوسیم و دی‌الکتریک محیط در دمای هلیوم مایع و در گسترة دمای 300-4 کلوین مورد پژوهش قرار داده‌ایم. |
|---|---|
| ISSN: | 2322-231X 2588-4980 |