استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک
در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs وZnO پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2016-06-01
|
| Series: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12083_b3dec056d891671218325255c9939c4e.pdf |
| _version_ | 1797389364042399744 |
|---|---|
| author | قاسم انصاری پور بهاره شایقی |
| author_facet | قاسم انصاری پور بهاره شایقی |
| author_sort | قاسم انصاری پور |
| collection | DOAJ |
| description | در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs وZnO پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیمرسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی با ثابت دی‌الکتریک کوچک (کوچکتر از ثابت دی‌الکتریک نیمرسانا) قدرت تابع دی‌الکتریک افزایش می‌یابد. همچنین رفتار تابع دی‌الکتریک برحسب تغییرات شعاع، چگالی حامل نانوسیم و دی‌الکتریک محیط در دمای هلیوم مایع و در گسترة دمای 300-4 کلوین مورد پژوهش قرار داده‌ایم. |
| first_indexed | 2024-03-08T22:54:47Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-b7817e356ef145928d43ff6b72946201 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 2322-231X 2588-4980 |
| language | fas |
| last_indexed | 2024-03-08T22:54:47Z |
| publishDate | 2016-06-01 |
| publisher | Shahid Chamran University of Ahvaz |
| record_format | Article |
| series | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| spelling | doaj.art-b7817e356ef145928d43ff6b729462012023-12-16T06:27:56ZfasShahid Chamran University of Ahvazپژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای2322-231X2588-49802016-06-016111610.22055/jrmbs.2016.1208312083استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریکقاسم انصاری پور0بهاره شایقی1گروه فیزیک -دانشگاه بوعلی سینا-همدانDepartment of Physics, Yazd Universityدر این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs وZnO پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیمرسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی با ثابت دی‌الکتریک کوچک (کوچکتر از ثابت دی‌الکتریک نیمرسانا) قدرت تابع دی‌الکتریک افزایش می‌یابد. همچنین رفتار تابع دی‌الکتریک برحسب تغییرات شعاع، چگالی حامل نانوسیم و دی‌الکتریک محیط در دمای هلیوم مایع و در گسترة دمای 300-4 کلوین مورد پژوهش قرار داده‌ایم.https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12083_b3dec056d891671218325255c9939c4e.pdfاستتارکوآنتومیگاز الکترونینانوسیمتابع دی الکتریک |
| spellingShingle | قاسم انصاری پور بهاره شایقی استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای استتارکوآنتومی گاز الکترونی نانوسیم تابع دی الکتریک |
| title | استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک |
| title_full | استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک |
| title_fullStr | استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک |
| title_full_unstemmed | استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک |
| title_short | استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک |
| title_sort | استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های inas و zno در محیط دی‌الکتریک |
| topic | استتارکوآنتومی گاز الکترونی نانوسیم تابع دی الکتریک |
| url | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_12083_b3dec056d891671218325255c9939c4e.pdf |
| work_keys_str_mv | AT qạsmạnṣạrypwr ạsttạrḵwậntwmygạzạlḵtrwnyyḵbʿdydrnạnwsymhạyinaswznodrmḥyṭdyạlḵtryḵ AT bhạrhsẖạyqy ạsttạrḵwậntwmygạzạlḵtrwnyyḵbʿdydrnạnwsymhạyinaswznodrmḥyṭdyạlḵtryḵ |