محاسبهی گرادیانهای میدان الکتریکی در ترکیبات X=Bi, Sb))UX2
در این مقاله خواص الکترونی ترکیبات پادفرومغناطیس X=Bi, Sb))UX2 را با محاسبات ابتدا به ساکن بر پایهی نظریهی تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته بهعلاوهی اربیتالهای موضعی APW+lo)) بررسی کردهایم. برای محاسبهی جمله پتانسیل تبادلی- همبستگی از تقریبهای LDA، GGA، LDA+U، GGA+U و هم...
Main Authors: | , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | fas |
Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2011-08-01
|
Series: | پژوهش سیستمهای بسذرهای |
Subjects: | |
Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10348_5ea262731d74bf20cb298bb3a9189510.pdf |
_version_ | 1797389364478607360 |
---|---|
author | اسماعیل قاسمی خواه سعید جلالی اسدآبادی محمد دهقانی |
author_facet | اسماعیل قاسمی خواه سعید جلالی اسدآبادی محمد دهقانی |
author_sort | اسماعیل قاسمی خواه |
collection | DOAJ |
description | در این مقاله خواص الکترونی ترکیبات پادفرومغناطیس X=Bi, Sb))UX2 را با محاسبات ابتدا به ساکن بر پایهی نظریهی تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته بهعلاوهی اربیتالهای موضعی APW+lo)) بررسی کردهایم. برای محاسبهی جمله پتانسیل تبادلی- همبستگی از تقریبهای LDA، GGA، LDA+U، GGA+U و همچنین روش انرژی تبادلی دقیق الکترونهای همبسته (EECE) استفاده کردهایم. گرادیانهای میدان الکتریکی (EFG) برای ترکیبات UX2 در مکان هستهی اورانیم محاسبه و با مقدار تجربی مقایسه شدهاند. گرادیانهای میدان الکتریکی برای بلور UBi2کوچکتر از گرادیانهای میدان الکتریکی USb2است که علت اصلی آن ساختار مغناطیسی متفاوت این دو بلور میباشد. مقادیر به دست آمده برای گرادیانهای میدان الکتریکی در بلور UBi2 با استفاده از روش EECE نسبت به روشهای دیگر همخوانی بهتری با مقادیر تجربی دارند. |
first_indexed | 2024-03-08T22:54:47Z |
format | Article |
id | doaj.art-b7ed53ddea0f4312b93c056a76f14f7c |
institution | Directory Open Access Journal |
issn | 2322-231X 2588-4980 |
language | fas |
last_indexed | 2024-03-08T22:54:47Z |
publishDate | 2011-08-01 |
publisher | Shahid Chamran University of Ahvaz |
record_format | Article |
series | پژوهش سیستمهای بسذرهای |
spelling | doaj.art-b7ed53ddea0f4312b93c056a76f14f7c2023-12-16T06:15:00ZfasShahid Chamran University of Ahvazپژوهش سیستمهای بسذرهای2322-231X2588-49802011-08-0111213110348محاسبهی گرادیانهای میدان الکتریکی در ترکیبات X=Bi, Sb))UX2اسماعیل قاسمی خواه0سعید جلالی اسدآبادی1محمد دهقانیگروه فیزیک، دانشگاه اصفهانعضو هیأت علمی گروه فیزیک دانشگاه اصفهاندر این مقاله خواص الکترونی ترکیبات پادفرومغناطیس X=Bi, Sb))UX2 را با محاسبات ابتدا به ساکن بر پایهی نظریهی تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته بهعلاوهی اربیتالهای موضعی APW+lo)) بررسی کردهایم. برای محاسبهی جمله پتانسیل تبادلی- همبستگی از تقریبهای LDA، GGA، LDA+U، GGA+U و همچنین روش انرژی تبادلی دقیق الکترونهای همبسته (EECE) استفاده کردهایم. گرادیانهای میدان الکتریکی (EFG) برای ترکیبات UX2 در مکان هستهی اورانیم محاسبه و با مقدار تجربی مقایسه شدهاند. گرادیانهای میدان الکتریکی برای بلور UBi2کوچکتر از گرادیانهای میدان الکتریکی USb2است که علت اصلی آن ساختار مغناطیسی متفاوت این دو بلور میباشد. مقادیر به دست آمده برای گرادیانهای میدان الکتریکی در بلور UBi2 با استفاده از روش EECE نسبت به روشهای دیگر همخوانی بهتری با مقادیر تجربی دارند.https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10348_5ea262731d74bf20cb298bb3a9189510.pdfنظریهی تابعی چگالیگرادیان میدان الکتریکیubi2usb2 |
spellingShingle | اسماعیل قاسمی خواه سعید جلالی اسدآبادی محمد دهقانی محاسبهی گرادیانهای میدان الکتریکی در ترکیبات X=Bi, Sb))UX2 پژوهش سیستمهای بسذرهای نظریهی تابعی چگالی گرادیان میدان الکتریکی ubi2 usb2 |
title | محاسبهی گرادیانهای میدان الکتریکی در ترکیبات X=Bi, Sb))UX2 |
title_full | محاسبهی گرادیانهای میدان الکتریکی در ترکیبات X=Bi, Sb))UX2 |
title_fullStr | محاسبهی گرادیانهای میدان الکتریکی در ترکیبات X=Bi, Sb))UX2 |
title_full_unstemmed | محاسبهی گرادیانهای میدان الکتریکی در ترکیبات X=Bi, Sb))UX2 |
title_short | محاسبهی گرادیانهای میدان الکتریکی در ترکیبات X=Bi, Sb))UX2 |
title_sort | محاسبهی گرادیانهای میدان الکتریکی در ترکیبات x bi sb ux2 |
topic | نظریهی تابعی چگالی گرادیان میدان الکتریکی ubi2 usb2 |
url | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10348_5ea262731d74bf20cb298bb3a9189510.pdf |
work_keys_str_mv | AT ạsmạʿylqạsmykẖwạh mḥạsbhygrạdyạnhạymydạnạlḵtryḵydrtrḵybạtxbisbux2 AT sʿydjlạlyạsdậbạdy mḥạsbhygrạdyạnhạymydạnạlḵtryḵydrtrḵybạtxbisbux2 AT mḥmddhqạny mḥạsbhygrạdyạnhạymydạnạlḵtryḵydrtrḵybạtxbisbux2 |