Otimização de parâmetros estruturais, dielétricos e ferroelétricos de filmes finos de PZT
Este trabalho faz uma síntese de resultados obtidos para filmes finos de PZT processados por diferentes vias com objetivo de otimizar parâmetros estruturais, dielétricos e ferroelétricos. Filmes foram preparados em fornos convencionais e pelo método de tratamento térmico rápido (TTR). Os resultados...
| Main Authors: | , |
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| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Associação Brasileira de Cerâmica
2001-03-01
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| Series: | Cerâmica |
| Subjects: | |
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| author | E. B. Araújo J. A. Eiras |
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| description | Este trabalho faz uma síntese de resultados obtidos para filmes finos de PZT processados por diferentes vias com objetivo de otimizar parâmetros estruturais, dielétricos e ferroelétricos. Filmes foram preparados em fornos convencionais e pelo método de tratamento térmico rápido (TTR). Os resultados foram comparados e mostraram que os filmes cristalizados usando TTR apresentaram uma melhor cristalização, comparado com os filmes cristalizados em forno convencional. Em conseqüência, melhores parâmetros dielétricos e ferroelétricos também foram obtidos, chegando a duplicar o valor da polarização remanescente (Pr) e aumentar significativamente a constante dielétrica (épsilon) dos filmes. |
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| series | Cerâmica |
| spelling | doaj.art-bef82828cf804cd1bba84fdba88219522022-12-22T04:12:43ZengAssociação Brasileira de CerâmicaCerâmica1678-45532001-03-014730191210.1590/S0366-69132001000100003Otimização de parâmetros estruturais, dielétricos e ferroelétricos de filmes finos de PZTE. B. Araújo0J. A. Eiras1Universidade Federal de São CarlosUniversidade Federal de São CarlosEste trabalho faz uma síntese de resultados obtidos para filmes finos de PZT processados por diferentes vias com objetivo de otimizar parâmetros estruturais, dielétricos e ferroelétricos. Filmes foram preparados em fornos convencionais e pelo método de tratamento térmico rápido (TTR). Os resultados foram comparados e mostraram que os filmes cristalizados usando TTR apresentaram uma melhor cristalização, comparado com os filmes cristalizados em forno convencional. Em conseqüência, melhores parâmetros dielétricos e ferroelétricos também foram obtidos, chegando a duplicar o valor da polarização remanescente (Pr) e aumentar significativamente a constante dielétrica (épsilon) dos filmes.http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0366-69132001000100003&tlng=ptfilmes finosPZTferroelétrico |
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