Високочастотні властивості GaN, AlN та InN у сильних полях - Kostiantyn Viacheslavovych Kulikov; Volodymyr Oleksandrovych Moskaliuk; Volodymyr Ivanovych Tymofieiev (Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, 2019)
У статті запропоновано метод моделювання і аналізу високочастотних властивостей многодолинних напівпровідників, зокрема GaN, AlN і InN. Модель застосована до надсучасних, перспективних і актуальних матеріалів GaN, AlN і InN, які зараз відомі під узагальнюючою назвою III-нітриди. Метод відрізняється економним використанням обчислювальних ресурсів без істотних втрат точності і можливістю застосування як для динамічних задач у часі, так і змінних у просторі полів.