ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ
Transistör kullanılarak yapılan devre tasarımında transistörün elektriksel parametreleri dikkate alınmak durumundadır. Bu parametrelerden VCBO (Kollektör-Baz ters dayanma gerilimi) ise tasarımcıya engel oluşturan en önemli faktördür. Dayanma gerilimi 50 V olan transistör kullanılarak 80 V genliğinde...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Pamukkale University
1997-03-01
|
| Series: | Pamukkale University Journal of Engineering Sciences |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dergipark.org.tr/pajes/issue/20549/219004?publisher=pamukkale |
| _version_ | 1797912089209077760 |
|---|---|
| author | Mustafa SÖNMEZ |
| author_facet | Mustafa SÖNMEZ |
| author_sort | Mustafa SÖNMEZ |
| collection | DOAJ |
| description | Transistör kullanılarak yapılan devre tasarımında transistörün elektriksel parametreleri dikkate alınmak durumundadır. Bu parametrelerden VCBO (Kollektör-Baz ters dayanma gerilimi) ise tasarımcıya engel oluşturan en önemli faktördür. Dayanma gerilimi 50 V olan transistör kullanılarak 80 V genliğinde, darbe şeklinde çıkış işareti almak normal koşullarda mümkün değildir. Bunun sebebi, çıkış işaret genliğinin besleme gerilimini aşamamasıdır. Bu çalışmada ortaya atılan ve hem deneysel hem de simülasyon yoluyla gerçekleştirilen yöntemle, besleme gerilimi transistörlerin dayanma geriliminin üstüne çıkarılarak istenilen genlikte çıkış işareti alınabilmektedir. |
| first_indexed | 2024-04-10T11:50:55Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-c76871ef61d24f40922b614e53289cab |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 1300-7009 2147-5881 |
| language | English |
| last_indexed | 2024-04-10T11:50:55Z |
| publishDate | 1997-03-01 |
| publisher | Pamukkale University |
| record_format | Article |
| series | Pamukkale University Journal of Engineering Sciences |
| spelling | doaj.art-c76871ef61d24f40922b614e53289cab2023-02-15T16:17:08ZengPamukkale UniversityPamukkale University Journal of Engineering Sciences1300-70092147-58811997-03-0133399403218ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİMustafa SÖNMEZTransistör kullanılarak yapılan devre tasarımında transistörün elektriksel parametreleri dikkate alınmak durumundadır. Bu parametrelerden VCBO (Kollektör-Baz ters dayanma gerilimi) ise tasarımcıya engel oluşturan en önemli faktördür. Dayanma gerilimi 50 V olan transistör kullanılarak 80 V genliğinde, darbe şeklinde çıkış işareti almak normal koşullarda mümkün değildir. Bunun sebebi, çıkış işaret genliğinin besleme gerilimini aşamamasıdır. Bu çalışmada ortaya atılan ve hem deneysel hem de simülasyon yoluyla gerçekleştirilen yöntemle, besleme gerilimi transistörlerin dayanma geriliminin üstüne çıkarılarak istenilen genlikte çıkış işareti alınabilmektedir.http://dergipark.org.tr/pajes/issue/20549/219004?publisher=pamukkaleBreakdown voltage Switching devices BJT transistorDayanma gerilimi Anahtar elemanı BJT transistör |
| spellingShingle | Mustafa SÖNMEZ ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ Pamukkale University Journal of Engineering Sciences Breakdown voltage Switching devices BJT transistor Dayanma gerilimi Anahtar elemanı BJT transistör |
| title | ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ |
| title_full | ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ |
| title_fullStr | ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ |
| title_full_unstemmed | ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ |
| title_short | ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ |
| title_sort | anahtar elemani olarak kullanilan bjt devresinde calisma geriliminin dayanma gerilimi yukseltilmesi |
| topic | Breakdown voltage Switching devices BJT transistor Dayanma gerilimi Anahtar elemanı BJT transistör |
| url | http://dergipark.org.tr/pajes/issue/20549/219004?publisher=pamukkale |
| work_keys_str_mv | AT mustafasonmez anahtarelemaniolarakkullanilanbjtdevresindecalismageriliminindayanmagerilimiyukseltilmesi |