Conveyor-mode single-electron shuttling in Si/SiGe for a scalable quantum computing architecture

Conveyor-mode single-electron shuttling in Si/SiGe for a scalable quantum computing architecture

Abstract Small spin-qubit registers defined by single electrons confined in Si/SiGe quantum dots operate successfully and connecting these would permit scalable quantum computation. Shuttling the qubit carrying electrons between registers is a natural choice for high-fidelity coherent links provided...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Inga Seidler, Tom Struck, Ran Xue, Niels Focke, Stefan Trellenkamp, Hendrik Bluhm, Lars R. Schreiber
Định dạng:	Bài viết
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	Nature Portfolio 2022-08-01
Loạt:	npj Quantum Information
Truy cập trực tuyến:	https://doi.org/10.1038/s41534-022-00615-2

Những quyển sách tương tự

Spin-EPR-pair separation by conveyor-mode single electron shuttling in Si/SiGe
Bằng: Tom Struck, et al.
Được phát hành: (2024-02-01)

Blueprint of a Scalable Spin Qubit Shuttle Device for Coherent Mid-Range Qubit Transfer in Disordered Si/SiGe/SiO_{2}
Bằng: Veit Langrock, et al.
Được phát hành: (2023-04-01)

Si/SiGe QuBus for single electron information-processing devices with memory and micron-scale connectivity function
Bằng: Ran Xue, et al.
Được phát hành: (2024-03-01)

Strategies for Enhancing Spin-Shuttling Fidelities in Si/SiGe Quantum Wells with Random-Alloy Disorder
Bằng: Merritt P. Losert, et al.
Được phát hành: (2024-11-01)

Mapping of valley splitting by conveyor-mode spin-coherent electron shuttling
Bằng: Mats Volmer, et al.
Được phát hành: (2024-06-01)

Phonon heat transport in superlattices: Case of Si/SiGe and SiGe/SiGe superlattices
Bằng: M. Hijazi, et al.
Được phát hành: (2016-06-01)

Limited-area growth of Ge and SiGe on Si
Bằng: Kim, Meekyung, Ph. D. Massachusetts Institute of Technology
Được phát hành: (2011)

Selective SiGe nanostructures
Bằng: Langdo, Thomas Andrew, 1974-
Được phát hành: (2005)

Si/SiGe heterointerfaces in one-, two-, and three-dimensional nanostructures: their impact on SiGe light emission
Bằng: David J. Lockwood, et al.
Được phát hành: (2016-03-01)

Strain relaxation in SiGe/Si heteroepitaxy
Bằng: Wong, Lydia Helena
Được phát hành: (2010)

Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures
Bằng: Francesco Montalenti, et al.
Được phát hành: (2018-06-01)

Low frequency noise in Si and Si/SiGe/Si PMOSFETs
Bằng: Stephen M. Thomas, et al.
Được phát hành: (2023-06-01)

Modelling and Simulation of Si/SiGe Heterostructure Devices
Bằng: Abd. Rasheid, Norulhuda
Được phát hành: (2002)

SiGe heterojunction bipolar transistors /
Bằng: 221518 Ashburn, Peter
Được phát hành: (2003)

SiGe field effect transistors
Bằng: Terrence E. Whall, et al.
Được phát hành: (2001-03-01)

Spin independence of the strongly enhanced effective mass in ultra-clean SiGe/Si/SiGe two-dimensional electron system
Bằng: M. Yu. Melnikov, et al.
Được phát hành: (2023-10-01)

MOSFET Channel Engineering using Strained Si, SiGe, and Ge Channels
Bằng: Fitzgerald, Eugene A., et al.
Được phát hành: (2003)

SiGe-on-insulator and strained-Si-on-insulator for strained-Si CMOS and nanocrystalline-Ge waveguides
Bằng: Taraschi, Gianni, 1973-
Được phát hành: (2005)

Modeling analysis of core-shell Si/SiGe nanowires
Bằng: Tang, Ming Y., 1979-
Được phát hành: (2005)

Integrated SiGe Detectors for Si Photonic Sensor Platforms
Bằng: Grégory Pandraud, et al.
Được phát hành: (2017-08-01)

Etch Control and SiGe Surface Composition Modulation by Low Temperature Plasma Process for Si/SiGe Dual Channel Fin Application
Bằng: Y. Ishii, et al.
Được phát hành: (2019-01-01)

Modeling study of thermoelectric SiGe nanocomposites
Bằng: Minnich, Austin Jerome, et al.
Được phát hành: (2010)

Epitaxial SiGe synapses for neuromorphic arrays
Bằng: Tan, Scott H. (Scott Howard)
Được phát hành: (2018)

Formation Mechanism of Rounded SiGe-Etch Front in Isotropic SiGe Plasma Etching for Gate-All-Around FETs
Bằng: Yu Zhao, et al.
Được phát hành: (2021-01-01)

Asymmetric Ge/SiGe coupled quantum well modulators
Bằng: Zhang Yi, et al.
Được phát hành: (2021-03-01)

Novel Si/SiGe fin on insulator fabrication on bulk-Si substrate
Bằng: Yongliang Li, et al.
Được phát hành: (2021-01-01)

Thermophysics Simulation of Laser Recrystallization of High-Ge-Content SiGe on Si Substrate
Bằng: Chao Zhang, et al.
Được phát hành: (2018-01-01)

Enhancing the Coherent Phonon Transport in SiGe Nanowires with Dense Si/Ge Interfaces
Bằng: Yajuan Cheng, et al.
Được phát hành: (2022-12-01)

High-Performance P- and N-Type SiGe/Si Strained Super-Lattice FinFET and CMOS Inverter: Comparison of Si and SiGe FinFET
Bằng: Yi-Ju Yao, et al.
Được phát hành: (2023-04-01)

Investigation of lateral gated quantum devices in Si/SiGe heterostructures
Bằng: Lai, Andrew P. (Andrew Pan)
Được phát hành: (2014)

Nanoscale Si/SiGe based quantum well infrared photodetectors
Bằng: Agarwala, Shweta
Được phát hành: (2010)

SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices /
Bằng: Cressler, John D.
Được phát hành: (2008)

Nanoscale strained-Si/SiGe and double-gate MOSFET modeling
Bằng: Karthik Chandrasekaran
Được phát hành: (2010)

Formation of Nanopits in Si Capping Layers on SiGe Quantum Dots
Bằng: Cui Jian, et al.
Được phát hành: (2011-01-01)

Scattering mechanisms in shallow undoped Si/SiGe quantum wells
Bằng: D. Laroche, et al.
Được phát hành: (2015-10-01)

Epitaxial growth of SiGe films by annealing Al–Ge alloyed pastes on Si substrate
Bằng: Keisuke Fukuda, et al.
Được phát hành: (2022-09-01)

Technology for SiGe heterostructure-based CMOS devices
Bằng: Armstrong, Mark Albert
Được phát hành: (2005)

SiGe bandgap tuning for high speed eam
Bằng: Mastronardi, Lorenzo, et al.
Được phát hành: (2019)

Modeling and characterization of thermoelectric properties of SiGe nanocomposites
Bằng: Lee, Hohyun, 1978-
Được phát hành: (2010)

SiGe-On-Insulator (SGOI) Technology and MOSFET Fabrication
Bằng: Cheng, Zhiyuan, et al.
Được phát hành: (2003)