Anderson transition in stoichiometric Fe2VAl: high thermoelectric performance from impurity bands
The mathematical conditions for the best thermoelectric is well known but never realised in real materials. Here, the authors propose the Anderson transition in a narrow impurity band as a physical realisation of this seemingly unrealisable scenario.
প্রধান লেখক: | Fabian Garmroudi, Michael Parzer, Alexander Riss, Andrei V. Ruban, Sergii Khmelevskyi, Michele Reticcioli, Matthias Knopf, Herwig Michor, Andrej Pustogow, Takao Mori, Ernst Bauer |
---|---|
বিন্যাস: | প্রবন্ধ |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
Nature Portfolio
2022-06-01
|
মালা: | Nature Communications |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://doi.org/10.1038/s41467-022-31159-w |
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Thermoelectric Transport in Ru_{2}TiSi Full-Heusler Compounds
অনুযায়ী: Fabian Garmroudi, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2025-03-01) -
Semiconducting Heusler Compounds beyond the Slater-Pauling Rule
অনুযায়ী: Michael Parzer, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-09-01) -
Record‐High Thermoelectric Performance in Al‐Doped ZnO via Anderson Localization of Band Edge States
অনুযায়ী: Illia Serhiienko, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-07-01) -
Cooperative Nernst effect of multilayer systems: Parallel circuit model study
অনুযায়ী: Hiroyasu Matsuura, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-10-01) -
Anderson impurity in a semiconductor
অনুযায়ী: Galpin, MR, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2009)