مشخصة غیرخطی جریان-ولتاژ یک دیواره مغناطیسی 2π رادیان در نانوسیم‌های نیمرسانای فرومغناطیسی نوع p
در مقالۀ حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین T مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حامل‌ها از دیواره 2π رادیان با حل معادله جفت شده شرودینگر برای مؤلفه‌های تاب...
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2017-05-01
|
| Series: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13025_7bd41c96f376d9662c630aecbdc552b5.pdf |
| Summary: | در مقالۀ حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین T مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حامل‌ها از دیواره 2π رادیان با حل معادله جفت شده شرودینگر برای مؤلفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و سپس چگرادیان با حل معادلات جفت شده شرودینگر برای مؤلفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و چگالی جریان بار و چگالی جریان اسپینی بر حسب آنها بدست آمده است. در مطالعه رفتار اسپین-دیودی دیواره مغناطیسی نشان داده شده است که آستانه ولتاژ شروع به کار دیود با عریض‌تر شدن دیواره افزایش می‌یابد. همچنین، وابستگی غیرخطی قطبش اسپینی به ولتاژ اعمالی به منظور کاربرد در ترانزیستورهای اسپینی تعیین گردیده است. |
|---|---|
| ISSN: | 2322-231X 2588-4980 |