دراسة الثنائيات (الديودات) من نوع GaAs (p-i-n) المستخدمة ككواكشف لأشعة X بغية تحسين آدائها.
إن استخدام الثنائيات (الديودات) من نوع GaAs (p-i-n) ككواشف للفوتونات عالية الطاقة تقتضي زيادة سماكة منطقة الفراغ W حيث توجد الشحنة، وتلك المنطقة تحدد بالشوائب المتبقية لنصف الناقل. سوف نتحدث عن التقانة المستخدمة في زيادة سماكة منطقة الشحنة الفراغية W. ويقتضي هذا تعديل الشوائب المتبقية بتشكل عيوب عن...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Arabic |
| Published: |
Tishreen University
2018-12-01
|
| Series: | مجلة جامعة تشرين للبحوث والدراسات العلمية، سلسلة العلوم الأساسية |
| Online Access: | http://journal.tishreen.edu.sy/index.php/bassnc/article/view/5292 |
| _version_ | 1797410329998655488 |
|---|---|
| author | جبور جبور |
| author_facet | جبور جبور |
| author_sort | جبور جبور |
| collection | DOAJ |
| description |
إن استخدام الثنائيات (الديودات) من نوع GaAs (p-i-n) ككواشف للفوتونات عالية الطاقة تقتضي زيادة سماكة منطقة الفراغ W حيث توجد الشحنة، وتلك المنطقة تحدد بالشوائب المتبقية لنصف الناقل. سوف نتحدث عن التقانة المستخدمة في زيادة سماكة منطقة الشحنة الفراغية W. ويقتضي هذا تعديل الشوائب المتبقية بتشكل عيوب عن طريق التشعيع بالإلكترونات.
تمت دراسة التيار والسعة بتابعية الجهد المطبق على الكاشف GaAs (p-i-n). توضح النتائج التي حصلنا عليها حدود التقنية المستخدمة في حالة هذا النوع من الكواشف.
The detection of high-energy photons, using compound semiconductor detectors such as GaAs (p-i-n), requires an increase of the depleted zone W, which is limited by the residual doping of the semiconductor.
In this paper, we will discuss a technique by which the extension of the space charge region of a diode can be increased. It consists in compensating the residual doping impurities with defects introduced by electrons irradiation. We have studied the current and capacitance-voltage characteristics of GaAs (p-i-n) structures.
Results are presented to illustrate and evaluate the limits of this technique in the case of GaAs (p-i-n) structures.
|
| first_indexed | 2024-03-09T04:28:16Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-e75e7fcd01344e5899c1dcbb80aedc7b |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 2079-3057 2663-4252 |
| language | Arabic |
| last_indexed | 2024-03-09T04:28:16Z |
| publishDate | 2018-12-01 |
| publisher | Tishreen University |
| record_format | Article |
| series | مجلة جامعة تشرين للبحوث والدراسات العلمية، سلسلة العلوم الأساسية |
| spelling | doaj.art-e75e7fcd01344e5899c1dcbb80aedc7b2023-12-03T13:38:38ZaraTishreen Universityمجلة جامعة تشرين للبحوث والدراسات العلمية، سلسلة العلوم الأساسية2079-30572663-42522018-12-01263دراسة الثنائيات (الديودات) من نوع GaAs (p-i-n) المستخدمة ككواكشف لأشعة X بغية تحسين آدائها.جبور جبور إن استخدام الثنائيات (الديودات) من نوع GaAs (p-i-n) ككواشف للفوتونات عالية الطاقة تقتضي زيادة سماكة منطقة الفراغ W حيث توجد الشحنة، وتلك المنطقة تحدد بالشوائب المتبقية لنصف الناقل. سوف نتحدث عن التقانة المستخدمة في زيادة سماكة منطقة الشحنة الفراغية W. ويقتضي هذا تعديل الشوائب المتبقية بتشكل عيوب عن طريق التشعيع بالإلكترونات. تمت دراسة التيار والسعة بتابعية الجهد المطبق على الكاشف GaAs (p-i-n). توضح النتائج التي حصلنا عليها حدود التقنية المستخدمة في حالة هذا النوع من الكواشف. The detection of high-energy photons, using compound semiconductor detectors such as GaAs (p-i-n), requires an increase of the depleted zone W, which is limited by the residual doping of the semiconductor. In this paper, we will discuss a technique by which the extension of the space charge region of a diode can be increased. It consists in compensating the residual doping impurities with defects introduced by electrons irradiation. We have studied the current and capacitance-voltage characteristics of GaAs (p-i-n) structures. Results are presented to illustrate and evaluate the limits of this technique in the case of GaAs (p-i-n) structures. http://journal.tishreen.edu.sy/index.php/bassnc/article/view/5292 |
| spellingShingle | جبور جبور دراسة الثنائيات (الديودات) من نوع GaAs (p-i-n) المستخدمة ككواكشف لأشعة X بغية تحسين آدائها. مجلة جامعة تشرين للبحوث والدراسات العلمية، سلسلة العلوم الأساسية |
| title | دراسة الثنائيات (الديودات) من نوع GaAs (p-i-n) المستخدمة ككواكشف لأشعة X بغية تحسين آدائها. |
| title_full | دراسة الثنائيات (الديودات) من نوع GaAs (p-i-n) المستخدمة ككواكشف لأشعة X بغية تحسين آدائها. |
| title_fullStr | دراسة الثنائيات (الديودات) من نوع GaAs (p-i-n) المستخدمة ككواكشف لأشعة X بغية تحسين آدائها. |
| title_full_unstemmed | دراسة الثنائيات (الديودات) من نوع GaAs (p-i-n) المستخدمة ككواكشف لأشعة X بغية تحسين آدائها. |
| title_short | دراسة الثنائيات (الديودات) من نوع GaAs (p-i-n) المستخدمة ككواكشف لأشعة X بغية تحسين آدائها. |
| title_sort | دراسة الثنائيات الديودات من نوع gaas p i n المستخدمة ككواكشف لأشعة x بغية تحسين آدائها |
| url | http://journal.tishreen.edu.sy/index.php/bassnc/article/view/5292 |
| work_keys_str_mv | AT jbwrjbwr drạsẗạltẖnạỷyạtạldywdạtmnnwʿgaaspinạlmstkẖdmẗkkwạksẖflạsẖʿẗxbgẖyẗtḥsynậdạỷhạ |