Tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair
ZnO và GaN là những vật liệu bán dẫn tiêu biểu và được ứng dụng nhiều trong các thiết bị quang điện tử. ZnO và GaN có cùng cấu trúc tinh thể wurtzite và có nhiều tính chất vật lý tương tự nhau. Do đó, khi kết hợp hai vật liệu này thành cấu trúc siêu mạng tạo ra một hệ vật liệu hứa hẹn có nhiều tín...
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Vietnamese |
| Published: |
Can Tho University Publisher
2017-10-01
|
| Series: | Tạp chí Khoa học Đại học Cần Thơ |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ctujsvn.ctu.edu.vn/index.php/ctujsvn/article/view/2799 |
| _version_ | 1797286725833195520 |
|---|---|
| author | Nguyễn Thành Tiên Huỳnh Thị Mỹ Duyên Lại Thị Hồng Yến Võ Khương ĐiềN |
| author_facet | Nguyễn Thành Tiên Huỳnh Thị Mỹ Duyên Lại Thị Hồng Yến Võ Khương ĐiềN |
| author_sort | Nguyễn Thành Tiên |
| collection | DOAJ |
| description | ZnO và GaN là những vật liệu bán dẫn tiêu biểu và được ứng dụng nhiều trong các thiết bị quang điện tử. ZnO và GaN có cùng cấu trúc tinh thể wurtzite và có nhiều tính chất vật lý tương tự nhau. Do đó, khi kết hợp hai vật liệu này thành cấu trúc siêu mạng tạo ra một hệ vật liệu hứa hẹn có nhiều tính chất vật lý mới. Nghiên cứu này nghiên cứu tính chất điện tử của siêu mạng dựa trên ZnO/GaN biên armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) phân cực spin. Gần đúng gradient suy rộng (GGA) cho thế tương quan trao đổi với phiếm hàm Perdew-Burke-Ernzernhof (PBE) và một tập cơ sở sóng phẳng đã được thiết lập trong VASP. Kết quả nghiên cứu thể hiện rằng cấu trúc điện tử của một số cấu trúc tinh thể nghiên cứu có tồn tại hiệu ứng giam cầm lượng tử mạnh. |
| first_indexed | 2024-03-07T18:22:26Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-f7ae72189e1f454f9493105753cd1aa2 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 1859-2333 2815-5599 |
| language | Vietnamese |
| last_indexed | 2024-03-07T18:22:26Z |
| publishDate | 2017-10-01 |
| publisher | Can Tho University Publisher |
| record_format | Article |
| series | Tạp chí Khoa học Đại học Cần Thơ |
| spelling | doaj.art-f7ae72189e1f454f9493105753cd1aa22024-03-02T07:14:31ZvieCan Tho University PublisherTạp chí Khoa học Đại học Cần Thơ1859-23332815-55992017-10-015210.22144/ctu.jvn.2017.106Tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchairNguyễn Thành Tiên0Huỳnh Thị Mỹ DuyênLại Thị Hồng YếnVõ Khương ĐiềNBM. Vật lý học, Khoa Khoa học Tự nhiênZnO và GaN là những vật liệu bán dẫn tiêu biểu và được ứng dụng nhiều trong các thiết bị quang điện tử. ZnO và GaN có cùng cấu trúc tinh thể wurtzite và có nhiều tính chất vật lý tương tự nhau. Do đó, khi kết hợp hai vật liệu này thành cấu trúc siêu mạng tạo ra một hệ vật liệu hứa hẹn có nhiều tính chất vật lý mới. Nghiên cứu này nghiên cứu tính chất điện tử của siêu mạng dựa trên ZnO/GaN biên armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) phân cực spin. Gần đúng gradient suy rộng (GGA) cho thế tương quan trao đổi với phiếm hàm Perdew-Burke-Ernzernhof (PBE) và một tập cơ sở sóng phẳng đã được thiết lập trong VASP. Kết quả nghiên cứu thể hiện rằng cấu trúc điện tử của một số cấu trúc tinh thể nghiên cứu có tồn tại hiệu ứng giam cầm lượng tử mạnh.https://ctujsvn.ctu.edu.vn/index.php/ctujsvn/article/view/2799Cấu trúc vùnglý thuyết phiếm hàm mật độmật độ trạng tháigiam cầm lượng tửdãy nanosiêu mạng |
| spellingShingle | Nguyễn Thành Tiên Huỳnh Thị Mỹ Duyên Lại Thị Hồng Yến Võ Khương ĐiềN Tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair Tạp chí Khoa học Đại học Cần Thơ Cấu trúc vùng lý thuyết phiếm hàm mật độ mật độ trạng thái giam cầm lượng tử dãy nano siêu mạng |
| title | Tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair |
| title_full | Tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair |
| title_fullStr | Tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair |
| title_full_unstemmed | Tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair |
| title_short | Tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair |
| title_sort | tinh chat dien tu cua cau truc sieu mang dua tren day di chat zno gan kieu armchair |
| topic | Cấu trúc vùng lý thuyết phiếm hàm mật độ mật độ trạng thái giam cầm lượng tử dãy nano siêu mạng |
| url | https://ctujsvn.ctu.edu.vn/index.php/ctujsvn/article/view/2799 |
| work_keys_str_mv | AT nguyenthanhtien tinhchatđientucuacautrucsieumangduatrendaydichatznogankieuarmchair AT huynhthimyduyen tinhchatđientucuacautrucsieumangduatrendaydichatznogankieuarmchair AT laithihongyen tinhchatđientucuacautrucsieumangduatrendaydichatznogankieuarmchair AT vokhuongđien tinhchatđientucuacautrucsieumangduatrendaydichatznogankieuarmchair |