بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی
جذب فلوئور بر گرافن سبب تنظیم شکاف انرژی و در نتیجه گرافن آلائیده به فلوئور یکی از ترکیباتی است که موجب کاربردی شدن گرافن در صنایع الکترونیک می‌شود. در این مقاله نقش دما و غلظت اتم‌های فلوئور بر فرآیند جذب یک سویه صفحه گرافن و دو سویه آن بررسی شده است. نتایج این مطالعه نشان می‌دهند که تعداد اتم‌های...
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2021-12-01
|
| Series: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17274_67ae5cf2cabdb614a743a0e0f6216307.pdf |
| _version_ | 1797389314048393216 |
|---|---|
| author | سارینا یوسف بیگی فرح مرصوصی یلدا پدرام |
| author_facet | سارینا یوسف بیگی فرح مرصوصی یلدا پدرام |
| author_sort | سارینا یوسف بیگی |
| collection | DOAJ |
| description | جذب فلوئور بر گرافن سبب تنظیم شکاف انرژی و در نتیجه گرافن آلائیده به فلوئور یکی از ترکیباتی است که موجب کاربردی شدن گرافن در صنایع الکترونیک می‌شود. در این مقاله نقش دما و غلظت اتم‌های فلوئور بر فرآیند جذب یک سویه صفحه گرافن و دو سویه آن بررسی شده است. نتایج این مطالعه نشان می‌دهند که تعداد اتم‌های فلوئور که جذب صفحه گرافن می‌شوند با افزایش غلظت گاز فلوئور تا مقدار معینی افزایش می‌یابند و سپس با افزایش بیشتر غلظت ثابت باقی می-مانند. همچنین با افزایش دما تا حدی که ساختار گرافن مختل نشود، سبب افزایش تعداد پیوندهای C-F می‌شود. همچنین مشاهده شد که چیدمان فلوئورهای جذب شده چنان است که از افزایش اختلال در توازن بین دو زیر شبکه گرافن جلوگیری شود. |
| first_indexed | 2024-03-08T22:54:04Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-f7c1bfb7d6034301acf97f955e89d452 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 2322-231X 2588-4980 |
| language | fas |
| last_indexed | 2024-03-08T22:54:04Z |
| publishDate | 2021-12-01 |
| publisher | Shahid Chamran University of Ahvaz |
| record_format | Article |
| series | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| spelling | doaj.art-f7c1bfb7d6034301acf97f955e89d4522023-12-16T06:44:48ZfasShahid Chamran University of Ahvazپژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای2322-231X2588-49802021-12-0111412413810.22055/jrmbs.2021.1727417274بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولیسارینا یوسف بیگی0فرح مرصوصی1یلدا پدرام2گروه فیزیک، دانشکده مهندسی انرژی و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران، ایرانگروه فیزیک، دانشکده مهندسی انرژی و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران، ایرانگروه فیزیک، دانشکده مهندسی انرژی و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران، ایرانجذب فلوئور بر گرافن سبب تنظیم شکاف انرژی و در نتیجه گرافن آلائیده به فلوئور یکی از ترکیباتی است که موجب کاربردی شدن گرافن در صنایع الکترونیک می‌شود. در این مقاله نقش دما و غلظت اتم‌های فلوئور بر فرآیند جذب یک سویه صفحه گرافن و دو سویه آن بررسی شده است. نتایج این مطالعه نشان می‌دهند که تعداد اتم‌های فلوئور که جذب صفحه گرافن می‌شوند با افزایش غلظت گاز فلوئور تا مقدار معینی افزایش می‌یابند و سپس با افزایش بیشتر غلظت ثابت باقی می-مانند. همچنین با افزایش دما تا حدی که ساختار گرافن مختل نشود، سبب افزایش تعداد پیوندهای C-F می‌شود. همچنین مشاهده شد که چیدمان فلوئورهای جذب شده چنان است که از افزایش اختلال در توازن بین دو زیر شبکه گرافن جلوگیری شود.https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17274_67ae5cf2cabdb614a743a0e0f6216307.pdfدینامیک مولکولیگرافنفلوئوروگرافنجذب یک سویه |
| spellingShingle | سارینا یوسف بیگی فرح مرصوصی یلدا پدرام بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای دینامیک مولکولی گرافن فلوئوروگرافن جذب یک سویه |
| title | بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی |
| title_full | بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی |
| title_fullStr | بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی |
| title_full_unstemmed | بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی |
| title_short | بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی |
| title_sort | بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی |
| topic | دینامیک مولکولی گرافن فلوئوروگرافن جذب یک سویه |
| url | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17274_67ae5cf2cabdb614a743a0e0f6216307.pdf |
| work_keys_str_mv | AT sạrynạywsfbygy brrsyjdẖbyḵswyhflwỷwrbrrwygrạfnbhrwsẖdynạmyḵmwlḵwly AT frḥmrṣwṣy brrsyjdẖbyḵswyhflwỷwrbrrwygrạfnbhrwsẖdynạmyḵmwlḵwly AT yldạpdrạm brrsyjdẖbyḵswyhflwỷwrbrrwygrạfnbhrwsẖdynạmyḵmwlḵwly |