MÔ PHỎNG TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG DÂY NANO KẼM OXIT
Chúng tôi báo cáo các kết quả mô phỏng transistor hiệu ứng trường với nhiều cấu trúc cổng khác nhau nhằm tìm ra FET có đặc tính điện tốt nhất. Chúng tôi thay đổi "hệ cực cổng" với các cách sắp xếp cực cổng khác nhau (một cổng, hai cổng, ba cổng thường, cổng dạng p, cổng dạng W và cổng bao...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Vietnamese |
| Published: |
Can Tho University Publisher
2014-05-01
|
| Series: | Tạp chí Khoa học Đại học Cần Thơ |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ctujsvn.ctu.edu.vn/index.php/ctujsvn/article/view/1740 |
| _version_ | 1797286376786362368 |
|---|---|
| author | Nguyễn Thành Tiên Trần Hồng Nghĩa |
| author_facet | Nguyễn Thành Tiên Trần Hồng Nghĩa |
| author_sort | Nguyễn Thành Tiên |
| collection | DOAJ |
| description | Chúng tôi báo cáo các kết quả mô phỏng transistor hiệu ứng trường với nhiều cấu trúc cổng khác nhau nhằm tìm ra FET có đặc tính điện tốt nhất. Chúng tôi thay đổi "hệ cực cổng" với các cách sắp xếp cực cổng khác nhau (một cổng, hai cổng, ba cổng thường, cổng dạng p, cổng dạng W và cổng bao vòng quanh). Dựa vào kết quả mô phỏng là bộ dữ liệu số, chúng tôi vẽ các đường đặc tuyến Vôn-Ampe (I-V). Sau đó, chúng tôi tính các thông số vật lý ảnh hưởng đến hoạt động của FET gồm: điện áp ngưỡng, độ dốc dưới ngưỡng, dòng điện bão hòa, tỷ lệ dòng điện ở trạng thái mở và trạng thái đóng, độ dẫn truyền. Chúng tôi ghi nhận được rằng, cấu trúc cổng bao vòng quanh có nhiều tính chất tối ưu hơn các cấu trúc cổng khác, đặc biệt là nó hạn chế được hiệu ứng kênh ngắn. |
| first_indexed | 2024-03-07T18:17:22Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-f9445af4400e4138835b6448039ff4f1 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 1859-2333 2815-5599 |
| language | Vietnamese |
| last_indexed | 2024-03-07T18:17:22Z |
| publishDate | 2014-05-01 |
| publisher | Can Tho University Publisher |
| record_format | Article |
| series | Tạp chí Khoa học Đại học Cần Thơ |
| spelling | doaj.art-f9445af4400e4138835b6448039ff4f12024-03-02T07:30:30ZvieCan Tho University PublisherTạp chí Khoa học Đại học Cần Thơ1859-23332815-55992014-05-0130MÔ PHỎNG TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG DÂY NANO KẼM OXITNguyễn Thành Tiên0Trần Hồng NghĩaBM. Vật lý học, Khoa Khoa học Tự nhiênChúng tôi báo cáo các kết quả mô phỏng transistor hiệu ứng trường với nhiều cấu trúc cổng khác nhau nhằm tìm ra FET có đặc tính điện tốt nhất. Chúng tôi thay đổi "hệ cực cổng" với các cách sắp xếp cực cổng khác nhau (một cổng, hai cổng, ba cổng thường, cổng dạng p, cổng dạng W và cổng bao vòng quanh). Dựa vào kết quả mô phỏng là bộ dữ liệu số, chúng tôi vẽ các đường đặc tuyến Vôn-Ampe (I-V). Sau đó, chúng tôi tính các thông số vật lý ảnh hưởng đến hoạt động của FET gồm: điện áp ngưỡng, độ dốc dưới ngưỡng, dòng điện bão hòa, tỷ lệ dòng điện ở trạng thái mở và trạng thái đóng, độ dẫn truyền. Chúng tôi ghi nhận được rằng, cấu trúc cổng bao vòng quanh có nhiều tính chất tối ưu hơn các cấu trúc cổng khác, đặc biệt là nó hạn chế được hiệu ứng kênh ngắn.https://ctujsvn.ctu.edu.vn/index.php/ctujsvn/article/view/1740Mô phỏngdây nanotran-zi-to hiệu Ứng trườngđặc tuyến Vôn-Ampecấu hình cực cổngoxit kẽm |
| spellingShingle | Nguyễn Thành Tiên Trần Hồng Nghĩa MÔ PHỎNG TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG DÂY NANO KẼM OXIT Tạp chí Khoa học Đại học Cần Thơ Mô phỏng dây nano tran-zi-to hiệu Ứng trường đặc tuyến Vôn-Ampe cấu hình cực cổng oxit kẽm |
| title | MÔ PHỎNG TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG DÂY NANO KẼM OXIT |
| title_full | MÔ PHỎNG TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG DÂY NANO KẼM OXIT |
| title_fullStr | MÔ PHỎNG TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG DÂY NANO KẼM OXIT |
| title_full_unstemmed | MÔ PHỎNG TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG DÂY NANO KẼM OXIT |
| title_short | MÔ PHỎNG TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG DÂY NANO KẼM OXIT |
| title_sort | mo phong transistor hieu ung truong day nano kem oxit |
| topic | Mô phỏng dây nano tran-zi-to hiệu Ứng trường đặc tuyến Vôn-Ampe cấu hình cực cổng oxit kẽm |
| url | https://ctujsvn.ctu.edu.vn/index.php/ctujsvn/article/view/1740 |
| work_keys_str_mv | AT nguyenthanhtien mophongtransistorhieuungtruongdaynanokemoxit AT tranhongnghia mophongtransistorhieuungtruongdaynanokemoxit |