ESTUDIO DE LA COLA DE URBACH EN SEMICONDUCTORES CRISTALINOS DE BRECHA INDIRECTA URBACH’S TAIL IN INDIRECT BAND-GAP SEMICONDUCTORS - Larissa Durán-Flores; Gerardo Fonthal (Revista Técnica de la Facultad de Ingeniería, 2003)
Resumen En este trabajo se estudiaron los parámetros de las colas de bandas en GaP, Ge y Si, semiconductores de brecha indirecta, a partir de datos encontrados en la literatura. Se comprobó que el borde de absorción óptico de los materiales estudiados obedece la Regla de Urbach. Se estableció que el desorden estructural en materiales monocristalinos es aproximadamente cero, producto del desorden natural en la red del cristal. El ancho de la cola o energía de Urbach que se determinó en los tres materiales se mantuvo entre 20 y 39 meV para 77K y 60 y 70 meV para 300K. El parámetro de "steepness" obtenido para cada material fue menor de 0.55, describiendo una fuerte interacción fonónica típica en el comportamiento de los semiconductores de brecha indirecta. Abstract In this work, the band tail parameters in GaP, Ge and Si, indirect band gap semiconductors, have been studied using the published data. It is established that the optical absorption edge in these materials obeys Urbach’s Rule. It is also found that the structural disorder in monocrystalline materials is around zero, due to the natural disorder of the crystal lattice. The width of the exponential tail or Urbach’s energy is found between 20 and 39meV at 77K and 60-70meV at 300K. Also, the steepness parameter s is above 0.55, indicating a strong phonon interaction typical in indirect band gap semiconductors.