Si—RAPD的噪声与倍增区宽度的关系
<正> 一、引言达通型硅雪崩光电二极管（Si—RAPD）是一种快速而灵敏的光电检测器。对于短波长（0.85～0.9μm）光纤通讯系统而言,它被公认为是目前最令人满意的接收器件。由于Si材料具有很大的电子—空穴离化比（α/β≈50）,加上相当成熟的Si平面工艺,从理论上讲确实可以保证Si—RAPD同时兼有很低的暗电流(10<sup>-10</sup>A)、高的倍增（大于100）和低的附加噪声。但是由于结构和工艺上的某些原因,实际器件的性能并非那么理想,尤其在兼顾高倍增和低噪声方面仍有工作可做。...
| Main Author: | |
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| Format: | Article |
| Language: | zho |
| Published: |
《光通信研究》编辑部
1985-01-01
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| Series: | Guangtongxin yanjiu |
| Online Access: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.1985.04.009 |