مطالعة نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه‌ای بر خواص ترمو الکتریکی
امروزه با کاربرد گستردۀ مواد ترموالکتریک، توجه به مطالعۀ تئوریک خواص ترموالکتریکی اهمیت خاصی دارد. در این تحقیق با محاسبۀ ضریب سیبک Sو فاکتور شایستگیZ برای ساختارهای کاسه ای شکل(n=1-5) C20-nGen و C20-nSin، سامانۀ ترموالکتریکیِ مناسب، پیش بینی گردیده است. محاسبات به روش کوانتومی در سطح محاسباتیLSDA/6...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2020-08-01
|
| Series: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_15922_bc955b77a806e36dc391185aa380dc4c.pdf |
| _version_ | 1797389316032299008 |
|---|---|
| author | فرّخ رؤیا نیکمرام مریم قلی زاده آرشتی |
| author_facet | فرّخ رؤیا نیکمرام مریم قلی زاده آرشتی |
| author_sort | فرّخ رؤیا نیکمرام |
| collection | DOAJ |
| description | امروزه با کاربرد گستردۀ مواد ترموالکتریک، توجه به مطالعۀ تئوریک خواص ترموالکتریکی اهمیت خاصی دارد. در این تحقیق با محاسبۀ ضریب سیبک Sو فاکتور شایستگیZ برای ساختارهای کاسه ای شکل(n=1-5) C20-nGen و C20-nSin، سامانۀ ترموالکتریکیِ مناسب، پیش بینی گردیده است. محاسبات به روش کوانتومی در سطح محاسباتیLSDA/6-31G، انجام شده است. در این ساختارها با افزایش دما ازk 278 تا 400k، ضریب سیبک در نیمرساناهای نوع p کاهش و در نیمرساناهای نوع n افزایش می یابد. بزرگترین فاکتور شایستگی با مقدار 78/1 برای C19Ge1 در دمایk 278 و برای C17Si3 در دمای 400k با مقدار 03/1 نتیجه شده است. بنابراین ساختار C19Ge1 به عنوان نیمرسانای نوع p و C17Si3 به عنوان نیمرسانای نوع n با اختلاف دمائی بزرگتر را می توان برای ساخت سامانۀ ترمو الکتریکی انتخاب نمود. ساختارهایِ C20-nGen با تعداد استخلافِ n=1,2,5 بعنوان هر دو نوع نیمرسانای n و p و ساختارهایِ C20-nSin با تعداد استخلاف n=3 وn=1,3 به ترتیب به عنوان نیمرسانای نوع n و نوع p، که فاکتور شایستگی بزرگتر از یک دارند، را می توان در ساخت سامانۀ ترموالکتریکی استفاده نمود. |
| first_indexed | 2024-03-08T22:54:06Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-fe46ef70991f4991a42bea77edc75745 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 2322-231X 2588-4980 |
| language | fas |
| last_indexed | 2024-03-08T22:54:06Z |
| publishDate | 2020-08-01 |
| publisher | Shahid Chamran University of Ahvaz |
| record_format | Article |
| series | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| spelling | doaj.art-fe46ef70991f4991a42bea77edc757452023-12-16T06:42:07ZfasShahid Chamran University of Ahvazپژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای2322-231X2588-49802020-08-0110213514710.22055/jrmbs.2020.1592215922مطالعة نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه‌ای بر خواص ترمو الکتریکیفرّخ رؤیا نیکمرام0مریم قلی زاده آرشتی1گروه شیمی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری، تهران، ایرانگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری، تهران، ایرانامروزه با کاربرد گستردۀ مواد ترموالکتریک، توجه به مطالعۀ تئوریک خواص ترموالکتریکی اهمیت خاصی دارد. در این تحقیق با محاسبۀ ضریب سیبک Sو فاکتور شایستگیZ برای ساختارهای کاسه ای شکل(n=1-5) C20-nGen و C20-nSin، سامانۀ ترموالکتریکیِ مناسب، پیش بینی گردیده است. محاسبات به روش کوانتومی در سطح محاسباتیLSDA/6-31G، انجام شده است. در این ساختارها با افزایش دما ازk 278 تا 400k، ضریب سیبک در نیمرساناهای نوع p کاهش و در نیمرساناهای نوع n افزایش می یابد. بزرگترین فاکتور شایستگی با مقدار 78/1 برای C19Ge1 در دمایk 278 و برای C17Si3 در دمای 400k با مقدار 03/1 نتیجه شده است. بنابراین ساختار C19Ge1 به عنوان نیمرسانای نوع p و C17Si3 به عنوان نیمرسانای نوع n با اختلاف دمائی بزرگتر را می توان برای ساخت سامانۀ ترمو الکتریکی انتخاب نمود. ساختارهایِ C20-nGen با تعداد استخلافِ n=1,2,5 بعنوان هر دو نوع نیمرسانای n و p و ساختارهایِ C20-nSin با تعداد استخلاف n=3 وn=1,3 به ترتیب به عنوان نیمرسانای نوع n و نوع p، که فاکتور شایستگی بزرگتر از یک دارند، را می توان در ساخت سامانۀ ترموالکتریکی استفاده نمود.https://jrmbs.scu.ac.ir/article_15922_bc955b77a806e36dc391185aa380dc4c.pdfفولرن کاسه ایsigeمحاسبات کوانتومیخواص ترمو الکتریکی |
| spellingShingle | فرّخ رؤیا نیکمرام مریم قلی زاده آرشتی مطالعة نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه‌ای بر خواص ترمو الکتریکی پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای فولرن کاسه ای si ge محاسبات کوانتومی خواص ترمو الکتریکی |
| title | مطالعة نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه‌ای بر خواص ترمو الکتریکی |
| title_full | مطالعة نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه‌ای بر خواص ترمو الکتریکی |
| title_fullStr | مطالعة نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه‌ای بر خواص ترمو الکتریکی |
| title_full_unstemmed | مطالعة نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه‌ای بر خواص ترمو الکتریکی |
| title_short | مطالعة نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسه‌ای بر خواص ترمو الکتریکی |
| title_sort | مطالعة نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در c20 کاسه‌ای بر خواص ترمو الکتریکی |
| topic | فولرن کاسه ای si ge محاسبات کوانتومی خواص ترمو الکتریکی |
| url | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_15922_bc955b77a806e36dc391185aa380dc4c.pdf |
| work_keys_str_mv | AT frkẖrwyạnyḵmrạm mṭạlʿẗnẓryạtẖrtʿdạdạstkẖlạfzẖrmạnymwsylyḵwndrc20ḵạshạybrkẖwạṣtrmwạlḵtryḵy AT mrymqlyzạdhậrsẖty mṭạlʿẗnẓryạtẖrtʿdạdạstkẖlạfzẖrmạnymwsylyḵwndrc20ḵạshạybrkẖwạṣtrmwạlḵtryḵy |