TCAD-Informed Surrogate Models of Semiconductor Devices
Extensive research has been conducted over the last half-century to develop models of semiconductor devices for use in circuit analysis and simulation. Such models typically fall into one of two categories: “Cheap” analytical models that can be solved quickly but introduce significant error, and “ex...
Hlavní autor: | Chinnery, Samuel B. |
---|---|
Další autoři: | Edelman, Alan |
Médium: | Diplomová práce |
Vydáno: |
Massachusetts Institute of Technology
2022
|
On-line přístup: | https://hdl.handle.net/1721.1/144946 |
Podobné jednotky
Compound Semiconductor Materials and Devices
Autor: Fonstad, Clifton J., Jr., a další
Vydáno: (2010)
Autor: Fonstad, Clifton J., Jr., a další
Vydáno: (2010)
Podobné jednotky
-
Device design consideration for nanoscale MOSFET using semiconductor TCAD tools
Autor: Teoh, Chin Hong, a další
Vydáno: (2006) -
TCAD simulation of tunnel FET devices
Autor: Ang, Ming Hao
Vydáno: (2009) -
Characterization of strained silicon MOSFET using semiconductor TCAD tools
Autor: Wong, Yah Jin, a další
Vydáno: (2006) -
Assessing the Device-performance Impacts of Structural Defects with TCAD Modeling
Autor: Altermatt, Pietro P., a další
Vydáno: (2017) -
CMOS-compatible color sensor design using TCAD
Autor: Chan, Fang Yih.
Vydáno: (2008)