Understanding the chemical bonding of ground and excited states of HfO and HfB with correlated wavefunction theory and density functional approximations
<jats:p> Knowledge of the chemical bonding of HfO and HfB ground and low-lying electronic states provides essential insights into a range of catalysts and materials that contain Hf–O or Hf–B moieties. Here, we carry out high-level multi-reference configuration interaction theory and coupled cl...
Հիմնական հեղինակներ: | Ariyarathna, Isuru R, Duan, Chenru, Kulik, Heather J |
---|---|
Այլ հեղինակներ: | Massachusetts Institute of Technology. Department of Chemistry |
Ձևաչափ: | Հոդված |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
AIP Publishing
2022
|
Առցանց հասանելիություն: | https://hdl.handle.net/1721.1/145492 |
Նմանատիպ նյութեր
-
Gas-phase and solid-state electronic structure analysis and DFT benchmarking of HfCO
: Ariyarathna, Isuru R., և այլն
Հրապարակվել է: (2024) -
Transport properties of HfO2−x based resistive-switching memories
: Wang, Zhongrui, և այլն
Հրապարակվել է: (2013) -
Failure mechanisms in HfO2 high-k gate stack MOSFETs
: Ranjan Rakesh
Հրապարակվել է: (2008) -
Dynamics of the termolecular (HF+HF+HF) reaction
: Arifin, B., և այլն
Հրապարակվել է: (2006) -
Dynamics of the termolecular (HF+HF+HF) reaction
: Ibrahim Ali , Noorbatcha
Հրապարակվել է: (2006)