Delay Analysis of Graphene Field-Effect Transistors
In this letter, we analyze the carrier transit delay in graphene field-effect transistors (GFETs).The extraction of the intrinsic delay provides a new way to directly estimate carrier velocity from the experimental data, while the breakdown of the total delay into intrinsic, extrinsic, and parasitic...
Հիմնական հեղինակներ: | Wang, Han, Hsu, Allen Long, Lee, Dong Seup, Kim, Ki Kang, Kong, Jing, Palacios, Tomas |
---|---|
Այլ հեղինակներ: | Massachusetts Institute of Technology. Department of Electrical Engineering and Computer Science |
Ձևաչափ: | Հոդված |
Լեզու: | en_US |
Հրապարակվել է: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
2012
|
Առցանց հասանելիություն: | http://hdl.handle.net/1721.1/72126 https://orcid.org/0000-0003-0551-1208 https://orcid.org/0000-0002-2190-563X |
Նմանատիպ նյութեր
-
Gigahertz Ambipolar Frequency Multiplier Based on Cvd Graphene
: Wang, Han, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
pH sensing properties of graphene solution-gated field-effect transistors
: Mailly-Giacchetti, Benjamin, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
BN/Graphene/BN Transistors for RF Applications
: Taychatanapat, Thiti, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
Graphene-Based Ambipolar RF Mixers
: Wang, Han, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
Applications of Graphene Devices in RF Communications
: Palacios, Tomas, և այլն
Հրապարակվել է: (2011)