Delay Analysis of Graphene Field-Effect Transistors

In this letter, we analyze the carrier transit delay in graphene field-effect transistors (GFETs).The extraction of the intrinsic delay provides a new way to directly estimate carrier velocity from the experimental data, while the breakdown of the total delay into intrinsic, extrinsic, and parasitic...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Wang, Han, Hsu, Allen Long, Lee, Dong Seup, Kim, Ki Kang, Kong, Jing, Palacios, Tomas
Այլ հեղինակներ: Massachusetts Institute of Technology. Department of Electrical Engineering and Computer Science
Ձևաչափ: Հոդված
Լեզու:en_US
Հրապարակվել է: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 2012
Առցանց հասանելիություն:http://hdl.handle.net/1721.1/72126
https://orcid.org/0000-0003-0551-1208
https://orcid.org/0000-0002-2190-563X

Նմանատիպ նյութեր