Defect engineering coupled with pulsed laser annealing for p+/n junction formation and pMOSFETs device enhancement

Defect engineering coupled with pulsed laser annealing for p+/n junction formation and pMOSFETs device enhancement

The aggressive miniaturization of the MOS technology as anticipated by the Moore’s law, demands for the constant exploration of novel methods to obtain highly activated and abrupt shallow junctions. As the devices shrink down to nanoscale dimensions, it is becoming increasingly challenging to keep u...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính:	Tan, Dexter Xueming.
Tác giả khác:	Pey Kin Leong
Định dạng:	Luận văn
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2012
Những chủ đề:	DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Microelectronics
Truy cập trực tuyến:	http://hdl.handle.net/10356/49978

Những quyển sách tương tự

Pulsed laser annealing for the formation of ultra-shallow junctions for nano-scale metal-oxide-semiconductor technologies
Bằng: Ong, Kuang Kian
Được phát hành: (2010)

Impact of spike anneal on ultra shallow junction formation
Bằng: Lai, Chung Woh
Được phát hành: (2008)

Study of digital breakdown in pMOSFETs with ultrathin gate dielectric and its significance to reliability assessment
Bằng: Ashwin Srinivas.
Được phát hành: (2010)

The Improvement of Reliability of High-k/Metal Gate pMOSFET Device with Various PMA Conditions
Bằng: Yi-Lin Yang, et al.
Được phát hành: (2012-01-01)

Pulsed laser annealed silicides formation for advanced MOS applications
Bằng: Yudi, Setiawan.
Được phát hành: (2009)

Design of 100nm pMOSFET with a SiGe heterostructure channel /
Bằng: Wong, Yah Jin, 1983-, author, et al.
Được phát hành: (2007)

The I-V Characteristic Prediction of BCD LV pMOSFET Devices Based on an ANFIS-Based Methodology
Bằng: Shen-Li Chen
Được phát hành: (2015-01-01)

PMOSFET PBTI (positive-bias temperature instability) measurement using ultra-fast switching method
Bằng: Huang, Baoqiang.
Được phát hành: (2009)

PMOSFET NBTI (negative-bias temperature instability) measurement using ultra-fast switching method
Bằng: Boo, Ann Ann.
Được phát hành: (2009)

A temperature-dependent DC model for quarter-micron LDD pMOSFET’s operating in a Bi-MOS structure
Bằng: Rofail, Samir S., et al.
Được phát hành: (2009)

Experimentally-based analytical model of deep-submicron LDD pMOSFET’s in a Bi-MOS hybrid-mode environment
Bằng: Rofail, Samir S., et al.
Được phát hành: (2009)

Multiple-pulse laser thermal annealing for the formation of Co-silicided junction
Bằng: Lee, Pooi See, et al.
Được phát hành: (2012)

Laser annealing of semiconductor materials for future electron device application
Bằng: Ong, Chio Yin.
Được phát hành: (2011)

Effective channel length and external series resistance models of scaled LDD pMOSFETs operating in a Bi-MOS hybrid-mode environment
Bằng: Seah, Lionel Siau Hing, et al.
Được phát hành: (2009)

Transformation of Holes Emission Paths under Negative Bias Temperature Stress in Deeply Scaled pMOSFETs
Bằng: Yiming Liao, et al.
Được phát hành: (2015-01-01)

Development of pulsed laser deposition system
Bằng: Nguyen Tien Duong
Được phát hành: (2012)

Small signal modulation characteristics of quantum dot lasers and the effect of annealing and doping
Bằng: Zhao, Hanxue
Được phát hành: (2012)

Formation of ultra-shallow p+/n junctions in silicon-on-insulator (SOI) substrate using laser annealing
Bằng: Wang, X. C., et al.
Được phát hành: (2013)

Simulation and characterization of the process and circuit of the MOSFET device with ISRC structure
Bằng: Lee, Yong Kuen.
Được phát hành: (2008)

Thermally stable Bi2Te3/WSe2 Van Der Waals contacts for pMOSFETs application
Bằng: Wen Hsin Chang, et al.
Được phát hành: (2024-11-01)

Studies on high frequency performance of advanced Si MOSFETs
Bằng: Sun, Zhiyong.
Được phát hành: (2009)

Oxide-defects driven study on reliability and synaptic response characterization of logic devices
Bằng: Ju, Xin
Được phát hành: (2021)

Capacitance of p- and n-doped graphenes is dominated by structural defects regardless of the dopant type
Bằng: Ambrosi, Adriano, et al.
Được phát hành: (2014)

Power MOSFET yield improvement through the improvement and refinement of epitaxy process
Bằng: Ng, Kin Meng.
Được phát hành: (2008)

Formation of silicide films in advanced silicon devices using excimer pulsed laser annealing
Bằng: Chow, Fong Ling
Được phát hành: (2008)

Digital breakdown and switching behaviours in high-K dielectrics in nano-scale mosfets
Bằng: Liu, Wenhu.
Được phát hành: (2013)

An extensive study on the boron junctions formed by optimized pre-spike∕multiple-pulse flash lamp annealing schemes : junction formation, stability and leakage
Bằng: Tan, Dexter Xue Ming, et al.
Được phát hành: (2019)

Defect characterization /
Bằng: 393447 Goh, Chun Lin
Được phát hành: (2002)

Co2 laser annealing of Niti (shape memory) thin films for mems applications
Bằng: He, Qiang.
Được phát hành: (2008)

Study of femtosecond laser pulse drilling of silicon
Bằng: Jiao, Lishi
Được phát hành: (2015)

Low-temperature crystallized pyrochlore bismuth zinc niobate thin films by excimer laser annealing
Bằng: Cheng, Jian Gong, et al.
Được phát hành: (2011)

Nickel silicide formation using multiple-pulsed laser annealing
Bằng: Setiawan, Y., et al.
Được phát hành: (2012)

Electrical characterization of bias temperature instability in MOSFETs with the ultrathin SiON and la-doped HfSiO gate dielectrics
Bằng: Du, Guoan.
Được phát hành: (2013)

Effect of low fluence laser annealing on ultrathin Lu2O3 high-k dielectric
Bằng: Darmawan, P., et al.
Được phát hành: (2012)

Analysis and characterization of ultra thin SOI MOSFET by MEDICI
Bằng: Shin, Chang Yeop.
Được phát hành: (2008)

Scanned pulsed laser annealing of Cu thin films
Bằng: Verma, Harsh Anand, 1980-
Được phát hành: (2006)

Microelectronic circuits and devices /
Bằng: 175365 Horenstein, Mark N.
Được phát hành: (1996)

Electric generators based on dynamic semiconductor junctions
Bằng: Xu, Ran
Được phát hành: (2020)

Microelectronics : processing and device design/
Bằng: 425016 Colclaser, Roy A.
Được phát hành: (1980)

SNR enhancement in OTDR using pulse coding
Bằng: Xie, Yi.
Được phát hành: (2009)