A study of the bias-temperature instability problem in advanced gate stacks

A study of the bias-temperature instability problem in advanced gate stacks

Negative Bias Temperature Instability (NBTI) on thin and thick PMOSFET with SiON oxide was examined by stressing the devices under different conditions to observe the recovery behavior of NBTI. In this project, experiments were carried out to study the frequency dependent, temperature dependent and...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính:	Khin Kyu Kyu Htwe.
Tác giả khác:	Ang Diing Shenp
Định dạng:	Final Year Project (FYP)
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2013
Những chủ đề:	DRNTU::Engineering
Truy cập trực tuyến:	http://hdl.handle.net/10356/53359

Những quyển sách tương tự

Dynamic bias-temperature instability study of metal/high-K gate stacks
Bằng: Gao, Yuan
Được phát hành: (2014)

Bias temperature instability study on switching defects in SiON and high-K gate dielectrics
Bằng: Tung, Zhi Yan
Được phát hành: (2019)

Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics
Bằng: Tan, Shyue Seng
Được phát hành: (2008)

Characterization of negative bias temperature instability in ultra-thin oxynitride gate P-MOSFETs
Bằng: Wang, Shuang
Được phát hành: (2009)

Study of degradation mechanisms in SiON gate dielectric film subjected to negative bias temperature instability (NBTI) stress
Bằng: Kang, Chun Wei.
Được phát hành: (2012)

Negative-bias temperature instability (NBTI) characterization of MOSFETS employing decoupled-plasma-nitrided gate oxides
Bằng: Lai, Simon Chung Sing
Được phát hành: (2011)

Improved electrical characteristic of negative bias temperature instability
Bằng: Hu, Youzhou.
Được phát hành: (2013)

Electrical characterization of bias temperature instability in MOSFETs with the ultrathin SiON and la-doped HfSiO gate dielectrics
Bằng: Du, Guoan.
Được phát hành: (2013)

Bias temperature instability of nano-scale silicon transistors
Bằng: Ho, Terence Jun Jie
Được phát hành: (2014)

Characterization and modeling of negative bias temperature instability in P-MOSFETs
Bằng: Yang, Jianbo
Được phát hành: (2010)

Correlation between oxide trap generation and negative-bias temperature instability
Bằng: Boo, A. A., et al.
Được phát hành: (2013)

Study of leakage and degradation in metal nanocrystal-embedded gate stacks
Bằng: Lwin, Zin Zar
Được phát hành: (2013)

Negative-bias temperature instability – insight from recent dynamic stress experiments
Bằng: Ang, Diing Shenp, et al.
Được phát hành: (2013)

Study of degradation mechanism of metal nanocrystal-based gate stacks
Bằng: Chen, Yining
Được phát hành: (2012)

Advanced CMOS technologies (high-k/metal gate stacks) for sub-22nm node
Bằng: Wu, Ling
Được phát hành: (2013)

Nanoscale characterization of advanced high-κ gate dielectric stacks via scanning tunneling microscopy
Bằng: Yew, Kwang Sing
Được phát hành: (2014)

On the "switching defects" in the SiON and high-k gate dielectrics subjected to bias-temperature stressing
Bằng: Boo, Ann Ann
Được phát hành: (2015)

On the evolution of switching oxide traps in the HfO2/TiN gate stack subjected to positive- and negative-bias temperature stressing
Bằng: Gao, Yuan, et al.
Được phát hành: (2014)

Evolution of hole trapping in the oxynitride gate p-MOSFET subjected to negative-bias temperature stressing
Bằng: Boo, A. A., et al.
Được phát hành: (2013)

PMOSFET PBTI (positive-bias temperature instability) measurement using ultra-fast switching method
Bằng: Huang, Baoqiang.
Được phát hành: (2009)

PMOSFET NBTI (negative-bias temperature instability) measurement using ultra-fast switching method
Bằng: Boo, Ann Ann.
Được phát hành: (2009)

Nano-scale characterization of advanced gate stacks using transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy
Bằng: Li, Xiang
Được phát hành: (2010)

Multi-objective learning control for robotic manipulator
Bằng: Khin Kyu Kyu Win.
Được phát hành: (2008)

Bias temperature instability (BTI) in GaN MOSFETs
Bằng: Guo, Alex
Được phát hành: (2017)

Competitive analysis and conceptual design of distributed internet-based supply chain management
Bằng: Khin Htwe Kyi@ Khin Dar Zin
Được phát hành: (2008)

Portable calibration system for accurate field calibration of temperature sensor
Bằng: Zaw, Myat Kyu Kyu
Được phát hành: (2017)

Atomistic simulation study of high-κ oxide defects for understanding gate stack and RRAM reliability
Bằng: Gu, Chenjie
Được phát hành: (2015)

Statistical characterization and reliability modeling of novel high-K gate dielectric stacks
Bằng: Nagarajan Raghavan
Được phát hành: (2012)

Alternate approach to assembly stack analysis and process tolerancing of parts
Bằng: Cheong, Khin Cheong.
Được phát hành: (2008)

Failure mechanisms in HfO2 high-k gate stack MOSFETs
Bằng: Ranjan Rakesh
Được phát hành: (2008)

Threshold voltage instability of SiC MOSFETs under very‐high temperature and wide gate bias
Bằng: Cong Chen, et al.
Được phát hành: (2024-11-01)

Modeling of negative bias temperature instability
Bằng: Tibor Grasser, et al.
Được phát hành: (2023-06-01)

Bias temperature instability for devices and circuits /
Bằng: Grasser, Tibor, editor
Được phát hành: (2014)

Positive bias-induced Vth instability in graphene field effect transistors
Bằng: Liu, W. J., et al.
Được phát hành: (2013)

Temperature-dependent relaxation current on single and dual layer Pt metal nanocrystal-based Al2O3/SiO2 gate stack
Bằng: Pey, Kin Leong, et al.
Được phát hành: (2013)

Bimodal weibull distribution of metal/high-κ gate stack TDDB-insights by scanning tunneling microscopy
Bằng: Yew, K. S., et al.
Được phát hành: (2013)

Metal gate for advanced CMOS applications
Bằng: Lai, Donny Jiancheng
Được phát hành: (2010)

Impact of Lanthanum on positive-bias temperature instability - insight from first-principles simulation
Bằng: Gu, Chen Jie, et al.
Được phát hành: (2014)

A new method for enhancing high- k /metal-gate stack performance and reliability for high- k last integration
Bằng: Yew, K. S., et al.
Được phát hành: (2013)

Si ion-induced instability in flatband voltage of Si+ -implanted gate oxides
Bằng: Chen, Q., et al.
Được phát hành: (2010)