Thermal characterisation and analysis of GaN power devices

Thermal characterisation and analysis of GaN power devices

The main objective of this final year project is to do thermal analysis of the high-voltage AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) on Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC) and CVD-Diamond (Dia) substrate. The measurements in this project were all done on fabricated 0.25 µm gate CPW GaN H...

Bibliografiset tiedot
Päätekijä:	Wirna
Muut tekijät:	Ng Geok Ing
Aineistotyyppi:	Final Year Project (FYP)
Kieli:	English
Julkaistu:	2018
Aiheet:	DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering
Linkit:	http://hdl.handle.net/10356/76291

Samankaltaisia teoksia

Compact modeling for GaN HEMT devices
Tekijä: Binit Syamal
Julkaistu: (2017)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
Tekijä: Kyaw, Zabu, et al.
Julkaistu: (2014)

Electrical characterisation of GaN-based metal semiconductor contacts
Tekijä: Lee, Kenneth Jia De.
Julkaistu: (2010)

Development of compact power electronics inverter using gallium nitride (GaN) devices
Tekijä: Sinurat, Hendry Donald Hanesty
Julkaistu: (2015)

Characterization of GaN-based semiconductor materials for device applications
Tekijä: Ng, Yao Heng.
Julkaistu: (2009)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
Tekijä: Sun, Xiaowei, et al.
Julkaistu: (2013)

LED driver design using GaN device
Tekijä: Zang, Qibang
Julkaistu: (2019)

Characterization and analysis of AlGaN/GaN HEMTs on Si for high frequency application
Tekijä: Pang, Vanessa Du Juan
Julkaistu: (2017)

On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes
Tekijä: Zhang, Xueliang, et al.
Julkaistu: (2014)

Characterization of GaN-based HEMT structures for high power applications
Tekijä: Pang, Shi Xiang.
Julkaistu: (2013)

GaN-based vertical power devices
Tekijä: Zhang, Yuhao, Ph. D. Massachusetts Institute of Technology
Julkaistu: (2017)

Design of a GaN-based power converter
Tekijä: Pek, Jonas
Julkaistu: (2021)

Non-linear thermal resistance model for the simulation of high power GaN-based devices
Tekijä: Garciá-Sánchez, S., et al.
Julkaistu: (2022)

Effect of post-deposition annealing on the interface electronic structures of Al2O3-Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructure
Tekijä: Duan, Tian Li, et al.
Julkaistu: (2019)

A hole accelerator for InGaN/GaN light-emitting diodes
Tekijä: Zhang, Zi-Hui, et al.
Julkaistu: (2014)

Studies of Gallium Nitride Electron Mobility Transistors (GaN HEMTs) and GaN Metal-Insulator-Semiconductor (GaN MISHEMT)
Tekijä: Lau, Sien Hui
Julkaistu: (2020)

Improving GaN-based light-emitting diodes
Tekijä: Zhang, Yiping
Julkaistu: (2017)

Studies of traps in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on silicon
Tekijä: Anand Mulagumoottil Jesudas
Julkaistu: (2016)

Characterization and fabrication of InGaN/GaN MQWs and LEDs on macroporous Si substrate
Tekijä: Dang, Dominic Thor Weng
Julkaistu: (2011)

Studies of GaN-based diode characteristics
Tekijä: Jong, Justin Zhi Liang
Julkaistu: (2019)

GaN converter demonstrator
Tekijä: Villarama, Joseph Christian Aguilar
Julkaistu: (2022)

Growth and characterization of AlGaN/GaN HEMT heterostructures on 100-mm Si (111) by MBE
Tekijä: Manvi Agrawal
Julkaistu: (2013)

The temperature dependent TCAD and SPICE modeling of AlGaN/GaN HEMTs
Tekijä: Yuan, Li, et al.
Julkaistu: (2013)

Studies of GaN-on-GaN vertical Schottky diodes for radiation sensing applications
Tekijä: Sandupatla, Abhinay
Julkaistu: (2020)

Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE
Tekijä: Agrawal, M., et al.
Julkaistu: (2011)

Structural and electrical characterization of GaN based hetero-structures
Tekijä: Agarwal, Ananya
Julkaistu: (2013)

Electrical characterization of GaN-based layer structures
Tekijä: Firdous Banu
Julkaistu: (2011)

Electrical characterization of GaN-based Schottky diodes
Tekijä: Muhamad Nursharil Zaini.
Julkaistu: (2009)

InGaN/GaN light-emitting diodes : from modeling to their hybrid applications with novel nanomaterials
Tekijä: Hasanov, Namig
Julkaistu: (2017)

Experimental study of AlGaN/GaN HEMT based devicesfor gas sensing applications
Tekijä: Jahan, Fina
Julkaistu: (2018)

Electrical and structural characterization of GaN based semiconductor layers
Tekijä: Lee, Pui Ki.
Julkaistu: (2011)

RTS noise characterization of GaN on silicon based HEMT
Tekijä: Xiong, Chenxi.
Julkaistu: (2012)

High vertical breakdown strength in with low specific on-resistance AlGaN/AlN/GaN HEMTs on silicon
Tekijä: Vicknesh, S., et al.
Julkaistu: (2014)

Strain states of AlN/GaN-stress mitigating layer and their effect on GaN buffer layer grown by ammonia molecular beam epitaxy on 100-mm Si(111)
Tekijä: Ravikiran, L., et al.
Julkaistu: (2014)

AlGaN/GaN HEMT based gas sensor characterisation and measurement
Tekijä: Ng, Ting Siang
Julkaistu: (2018)

AlGaN/GaN two-dimensional-electron gas heterostructures on 200 mm diameter Si(111)
Tekijä: Dolmanan, S. B., et al.
Julkaistu: (2013)

Valence hole subbands and optical gain spectra of GaN/Ga1-xAlxN strained quantum wells
Tekijä: Li, M. F., et al.
Julkaistu: (2013)

Dynamic ON resistance study in GaN HEMT for high power switching application
Tekijä: Vidanagamage Uditha
Julkaistu: (2020)

InAlN/GaN high electron mobility transistors on Si for RF applications
Tekijä: Xing, Weichuan
Julkaistu: (2018)

Structural and electrical characterization of GaN based HEMT heterostructures on SiC
Tekijä: Protik Parvez Sheikh
Julkaistu: (2017)