An efficient and effective design of InP nanowires for maximal solar energy harvesting
Solar cells based on subwavelength-dimensions semiconductor nanowire (NW) arrays promise a comparable or better performance than their planar counterparts by taking the advantages of strong light coupling and light trapping. In this paper, we present an accurate and time-saving analytical design for...
প্রধান লেখক: | Wu, Dan, Tang, Xiaohong, Wang, Kai, He, Zhubing, Li, Xianqiang |
---|---|
অন্যান্য লেখক: | School of Electrical and Electronic Engineering |
বিন্যাস: | Journal Article |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
2018
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://hdl.handle.net/10356/86317 http://hdl.handle.net/10220/45239 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Optical characteristics of p-type GaAs-based semiconductors towards applications in photoemission infrared detectors
অনুযায়ী: Lao, Y. F., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
Metalorganic chemical vapor deposition-regrown Ga-rich InGaP films on SiGe virtual substrates for Si-based III-V optoelectronic device applications
অনুযায়ী: Kim, TaeWan, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
Stress evolution of GaN/AlN heterostructure grown on 6H-SiC substrate by plasma assisted molecular beam epitaxy
অনুযায়ী: Agrawal, Manvi, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
Formation of periodic interfacial misfit dislocation array at the InSb/GaAs interface via surface anion exchange
অনুযায়ী: Jia, Bo Wen, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
An analytic approach for optimal geometrical design of GaAs nanowires for maximal light harvesting in photovoltaic cells
অনুযায়ী: Wu, Dan, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2018)