Intrinsic to extrinsic phonon lifetime transition in a GaAs-AlAs superlattice.
We have measured the lifetimes of two zone-center longitudinal acoustic phonon modes, at 320 and 640 GHz, in a 14 nm GaAs/2 nm AlAs superlattice structure. By comparing measurements at 296 and 79 K we separate the intrinsic contribution to phonon lifetime determined by phonon-phonon scattering from...
Những tác giả chính: | Hofmann, F, Garg, J, Maznev, A, Jandl, A, Bulsara, M, Fitzgerald, E, Chen, G, Nelson, K |
---|---|
Định dạng: | Journal article |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
2013
|
Những quyển sách tương tự
-
Intrinsic to extrinsic phonon lifetime transition in a GaAs–AlAs superlattice
Bằng: Hofmann, Felix, et al.
Được phát hành: (2013) -
Lifetime of sub-THz coherent acoustic phonons in a GaAs-AlAs superlattice
Bằng: Maznev, A, et al.
Được phát hành: (2013) -
Lifetime of sub-THz coherent acoustic phonons in a GaAs-AlAs superlattice
Bằng: Maznev, Alexei, et al.
Được phát hành: (2013) -
Resonant LO phonon enhanced conductivity in GaAs-AlAs superlattices
Bằng: Dalton, K, et al.
Được phát hành: (2001) -
Electronic Tunneling and Electric Domains in GaAs/AlAs Superlattices at Room Temperature
Bằng: Altukhov I.V., et al.
Được phát hành: (2018-01-01)