Intrinsic to extrinsic phonon lifetime transition in a GaAs-AlAs superlattice.
We have measured the lifetimes of two zone-center longitudinal acoustic phonon modes, at 320 and 640 GHz, in a 14 nm GaAs/2 nm AlAs superlattice structure. By comparing measurements at 296 and 79 K we separate the intrinsic contribution to phonon lifetime determined by phonon-phonon scattering from...
Հիմնական հեղինակներ: | Hofmann, F, Garg, J, Maznev, A, Jandl, A, Bulsara, M, Fitzgerald, E, Chen, G, Nelson, K |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
2013
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Intrinsic to extrinsic phonon lifetime transition in a GaAs–AlAs superlattice
: Hofmann, Felix, և այլն
Հրապարակվել է: (2013) -
Lifetime of sub-THz coherent acoustic phonons in a GaAs-AlAs superlattice
: Maznev, A, և այլն
Հրապարակվել է: (2013) -
Lifetime of sub-THz coherent acoustic phonons in a GaAs-AlAs superlattice
: Maznev, Alexei, և այլն
Հրապարակվել է: (2013) -
Resonant LO phonon enhanced conductivity in GaAs-AlAs superlattices
: Dalton, K, և այլն
Հրապարակվել է: (2001) -
Electronic Tunneling and Electric Domains in GaAs/AlAs Superlattices at Room Temperature
: Altukhov I.V., և այլն
Հրապարակվել է: (2018-01-01)