ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON

ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON

Бібліографічні деталі
Автори:	Wilkinson, A, Anstis, G, Czernuszka, J, Long, N, Hirsch, P
Формат:	Journal article
Опубліковано:	1993

Схожі ресурси

ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1993)

ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
за авторством: Czernuszka, J, та інші
Опубліковано: (1991)

ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
за авторством: Czernuszka, J, та інші
Опубліковано: (1991)

Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1994)

Understanding defects in germanium and silicon for optoelectronic energy conversion
за авторством: Patel, Neil Sunil
Опубліковано: (2016)

Silicon and germanium waveguides for silicon photonics
за авторством: Zhang, Heng
Опубліковано: (2017)

ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
за авторством: Czernuszka, J, та інші
Опубліковано: (1991)

DISSOCIATION OF NEAR-SCREW DISLOCATIONS IN GERMANIUM AND SILICON
за авторством: Gomez, A, та інші
Опубліковано: (1975)

Strain-balanced silicon-germanium materials for near IR photodetection in silicon-based optical interconnects
за авторством: Giovane, Laura Marie
Опубліковано: (2005)

Germanium on silicon epitaxy and applications
за авторством: Trieu, Thi Mai Trang.
Опубліковано: (2012)

The elemental semiconductors-silicon and germanium /
за авторством: 267485 Shields, J.
Опубліковано: ((19.)

Vertically oriented epitaxial germanium nanowires on silicon substrates using thin germanium buffer layers
за авторством: Jung, J, та інші
Опубліковано: (2010)

Fabrication and characterization of germanium-on-silicon photodiodes
за авторством: DiLello, Nicole Ann
Опубліковано: (2012)

Amidinate-stabilized silicon and germanium complexes.
за авторством: Zhang, Shuhua
Опубліковано: (2014)

The growth and structure of eutectics silicon with germanium /
за авторством: 385438 Hellawell, A.
Опубліковано: (1970)

Properties of silicon germanium and sige : carbon /
за авторством: Kasper, Erich, та інші
Опубліковано: (2000)

Ion implantation in semiconductors : silicon and germanium/
за авторством: Mayer, James W., 1930-, та інші
Опубліковано: (1970)

Silicon and germanium power rectifier technology/
за авторством: 454646 Wells, Robert
Опубліковано: (1966)

Silicon germanium : technology, modeling and design /
за авторством: 255552 Singh, Raminderpal, та інші
Опубліковано: (2004)

Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors /
за авторством: 190336 Cressler, John D., та інші
Опубліковано: (2003)

THEORY OF WEAKLY BOUND ELECTRONS - VISCOSITY OF MELTED SILICON AND GERMANIUM
за авторством: Korsunsk, A, та інші
Опубліковано: (1973)

Confined in-fiber solidification and structural control of silicon and silicon−germanium microparticles
за авторством: Abouraddy, Ayman F., та інші
Опубліковано: (2018)

THE EFFECTS OF SURFACE STRESS-RELAXATION ON ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGES OF DISLOCATIONS
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1995)

Germanium-rich silicon-germanium materials for field-effect modular application
за авторством: Jongthammanurak, Samerkhae
Опубліковано: (2009)

Electrical and temperature characterisation of silicon and germanium nanowire transistors based on channel dimensions
за авторством: Hani Taha, Abd Assamad Al Ariqi
Опубліковано: (2020)

Transparent amorphous silicon channel waveguides with silicon nitride intercladding layer
за авторством: Sun, Rong, та інші
Опубліковано: (2013)

A Germanium-on-Silicon Laser for on-Chip Applications
за авторством: Michel, Jurgen, та інші
Опубліковано: (2013)

Low temperature heterogeneous integration of germanium on silicon
за авторством: Postelnicu, Eveline
Опубліковано: (2023)

Flaw-limited transport in germanium-on-silicon photodiodes
за авторством: Orcutt, Jason S. (Jason Scott)
Опубліковано: (2009)

Single-crystal germanium growth on amorphous silicon
за авторством: McComber, Kevin A
Опубліковано: (2012)

Fabrication and characterization of silicon-germanium schottky diode
за авторством: Chakravarthi Nanda Kumar
Опубліковано: (2010)

Fabrication and characterisation of Silicon-Germanium Schottky diode
за авторством: Tan, Oscar Aik Poh.
Опубліковано: (2008)

Increased Phonon Scattering by Nanograins and Point Defects in Nanostructured Silicon with a Low Concentration of Germanium
за авторством: Zhu, G. H., та інші
Опубліковано: (2010)

Increased Phonon Scattering by Nanograins and Point Defects in Nanostructured Silicon with a Low Concentration of Germanium
за авторством: Guilbert, H., та інші
Опубліковано: (2010)

Electron-beam-induced activity of defects in silicon
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1994)

ELECTRON-BEAM-INDUCED ACTIVITY OF DEFECTS IN SILICON
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1994)

Multiple scattering simulation of electron channelling contrast images of dislocations at interfaces
за авторством: Dudarev, S, та інші
Опубліковано: (1995)

Growth, characterization and thermal stability of undoped and in-situ doped silicon-germanium heteroepitaxial layers
за авторством: Jang, Syun-Ming
Опубліковано: (2005)

Growth and characterization of high quality relaxed graded silicon germanium layers for integrated photodetectors
за авторством: Samavedam, Srikanth B. (Srikanth Balaji), 1970-
Опубліковано: (2005)

Germanium on silicon heteroepitaxy for high efficiency photovoltaic devices
за авторством: Albert, Brian Ross
Опубліковано: (2016)