Saltar ao contenido
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Todos os campos
Title
Autor
Subject
Número de Clasificación
ISBN/ISSN
Tag
Buscar
Avanzado
Interfacial layer formation du...
Citar
Text this
Enviar este rexistro por email
Imprimir
Exportar rexistro
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Permanent link
Interfacial layer formation during high-temperature annealing of ZrO2 thin films on Si
Detalles Bibliográficos
Main Authors:
Howard, J
,
Craciun, V
,
Essary, C
,
Singh, R
,
Jones, M
Formato:
Journal article
Publicado:
2002
Existencias
Descripción
Títulos similares
Staff View
Títulos similares
ZrO2 thin films on Si substrate
por: Wong, Y.H., et al.
Publicado: (2010)
Effects of post- oxidation annealing temperature on ZrO2 thin film deposited on 4H-SiC substrate
por: Kurniawan, T., et al.
Publicado: (2011)
Ferroelectric Orthorhombic ZrO2 Thin Films Achieved Through Nanosecond Laser Annealing
por: Anna P. S. Crema, et al.
Publicado: (2023-05-01)
STRUCTURE AND COMPOSITION EVOLUTION a-Si/ZrO2 AND a-SiOx/ZrO2 MULTILAYERED NANOPERIODICAL STRUCTURES UNDER HIGH TEMPERATURE ANNEAL
por: Sergey Yu. Turishchev, et al.
Publicado: (2018-09-01)
The Influence of Annealing Temperature on the Structural and Optical Properties of ZrO<sub>2</sub> Thin Films and How Affects the Hydrophilicity
por: A. Méndez-López, et al.
Publicado: (2020-05-01)