Cavity-enhanced blue single-photon emission from a single InGaN/GaN quantum dot

Cavity-enhanced blue single-photon emission from a single InGaN/GaN quantum dot

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Jarjour, A, Taylor, R, Oliver, R, Kappers, M, Humphreys, C, Tahraoui, A
פורמט:	Journal article
יצא לאור:	2007

פריטים דומים

Electrically driven single InGaN/GaN quantum dot emission
מאת: Jarjour, A, et al.
יצא לאור: (2008)

Two-photon autocorrelation measurements on a single InGaN/GaN quantum dot.
מאת: Collins, D, et al.
יצא לאור: (2009)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot
מאת: Jarjour, A, et al.
יצא לאור: (2007)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot.
מאת: Jarjour, A, et al.
יצא לאור: (2007)

Two-photon absorption from single InGaN/GaN quantum dots
מאת: Jarjour, A, et al.
יצא לאור: (2006)

Growth and assessment of InGaN quantum dots in a microcavity: A blue single photon source
מאת: Oliver, R, et al.
יצא לאור: (2008)

Progress in the optical studies of single InGaN/GaN quantum dots
מאת: Jarjour, A, et al.
יצא לאור: (2007)

Optical studies of non-linear absorption in single InGaN/GaN quantum dots
מאת: Jarjour, A, et al.
יצא לאור: (2007)

Experimental and theoretical study of the quantum-confined Stark effect in a single InGaN/GaN quantum dot under applied vertical electric field
מאת: Jarjour, A, et al.
יצא לאור: (2008)

Two-photon absorption in single site-controlled InGaN/GaN quantum dots
מאת: Jarjour, A, et al.
יצא לאור: (2005)

Dynamics of single InGaN quantum dots
מאת: Taylor, R, et al.
יצא לאור: (2004)

Non-linear excitation and correlation studies of single InGaN quantum dots
מאת: Collins, D, et al.
יצא לאור: (2009)

Non-linear excitation and correlation studies of single InGaN quantum dots
מאת: Collins, D, et al.
יצא לאור: (2009)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
מאת: Oliver, R, et al.
יצא לאור: (2005)

Ultrafast, polarized, single-photon emission from m-plane InGaN Quantum Dots on GaN nanowires
מאת: Puchtler, T, et al.
יצא לאור: (2016)

Time-resolved dynamics in single InGaN quantum dots
מאת: Robinson, J, et al.
יצא לאור: (2003)

Temporal variation in photoluminescence from single InGaN quantum dots
מאת: Rice, J, et al.
יצא לאור: (2004)

Towards cavity quantum electrodynamics and coherent control with single InGaN/GaN quantum dots
מאת: Reid, BPL
יצא לאור: (2013)

The influence of ammonia on the growth mode in InGaN/GaN heteroepitaxy
מאת: Oliver, R, et al.
יצא לאור: (2004)

Time-resolved dynamics in single InGaN quantum dots
מאת: Taylor, R, et al.
יצא לאור: (2005)

Photoluminescence studies of exciton recombination and dephasing in single InGaN quantum dots
מאת: Rice, J, et al.
יצא לאור: (2004)

Carrier localization mechanisms in InGaN/GaN quantum wells
מאת: Watson-Parris, D, et al.
יצא לאור: (2011)

Optical cavity efficacy and lasing of focused ion beam milled GaN/InGaN micropillars
מאת: El-Ella, H, et al.
יצא לאור: (2012)

Growth of InGaN quantum dots on GaN by MOVPE, employing a growth temperature nitrogen anneal
מאת: Oliver, R, et al.
יצא לאור: (2003)

Cavity Enhancement of Single Quantum Dot Emission in the Blue
מאת: Taylor, R, et al.
יצא לאור: (2010)

Cavity Enhancement of single quantum dot emission in the blue
מאת: Taylor, R, et al.
יצא לאור: (2010)

Luminescence properties of isolated InGaN/GaN quantum dots
מאת: Martin, R, et al.
יצא לאור: (2005)

Quantum dot emission from selectively-grown InGaN/GaN micropyramid arrays
מאת: Taylor, R, et al.
יצא לאור: (2005)

Quantum dot emission from site-controlled InGaN/GaN micropyramid arrays
מאת: Edwards, P, et al.
יצא לאור: (2004)

Polarisation-controlled single photon emission at high temperatures from InGaN quantum dots
מאת: Wang, T, et al.
יצא לאור: (2017)

Simulation of the quantum-confined stark effect in a single InGaN quantum dot
מאת: Lee, K, et al.
יצא לאור: (2004)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
מאת: Kyaw, Zabu, et al.
יצא לאור: (2014)

Quantum confined carrier transition in a GaN/InGaN/GaN single quantum well bounded by AlGaN barriers
מאת: Park, Y, et al.
יצא לאור: (2011)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
מאת: Sun, Xiaowei, et al.
יצא לאור: (2013)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
מאת: Zhang, Zi-Hui, et al.
יצא לאור: (2013)

Theoretical and experimental analysis of radiative recombination lifetimes in nonpolar InGaN/GaN quantum dots
מאת: Kanta Patra, S, et al.
יצא לאור: (2017)

On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes
מאת: Zhang, Xueliang, et al.
יצא לאור: (2014)

Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
מאת: Ju, Zhen Gang, et al.
יצא לאור: (2016)

Time-integrated and time-resolved photoluminescence studies of InGaN quantum dots
מאת: Robinson, J, et al.
יצא לאור: (2004)

Effect of thermal interaction between bulk GaN substrates and corral sapphire on blue light emission InGaN/GaN multi-quantum wells by MOCVD
מאת: Sivanathan, P.C., et al.
יצא לאור: (2018)